Нитрид - галлий
Cтраница 3
Сплавы нитрида алюминия с нитридом галлия рассматриваются в [64, 65, 70] как эффективные полупроводниковые материалы для изготовления излучателей и детекторов высокотемпературной электроники. Отмечается, что GaAlN-сплав ( с шириной запрещенной щели - 5 5 эВ) проявляет отрицательное сродство к электрону, что является очень перспективным при изготовлении плоских экранов. [31]
Перспективным материалом для изготовления светодиодов является нитрид галлия GaN, который имеет большую ширину запрещенной зоны ( A3 - 3 4 эВ), и поэтому энергии квантов света, возникающих в этом материале при рекомбинации носителей заряда, могут перекрывать всю видимую область спектра. [32]
Описанный в работах [10, 11] метод получения нитрида галлия азотированием смеси металлического галлия с углекислым аммонием в токе аммиака при 1100 - 1200, а также термическим разложением комплексного фторида ( NH sGaFe 112 ] при более низких температурах ( 900 - 1000) не может быть использован для производственного синтеза ввиду низкого выхода продукта и сложности приготовления исходного соединения. [33]
Следует обратить внимание на светодиоды из нитрида галлия и селенида цинка. [34]
Галлий не взаимодействует с азотом, поэтому нитрид галлия GaN получают азотированием металлического галлия с помощью аммиака при температуре 1100 - 1150 С или восстановлением - азотированием окиси галлия при той же температуре. [35]
 |
Конструкция одноразрядного знакового индикатора ( цифрового индикатора. [36] |
Большой интерес для изготовления полупроводниковых излучателей представляет нитрид галлия GaN, имеющий наибольшую ширину запрещенной зоны ( A3 3 5 эВ) среди соединений типа A BV, освоенных в технологическом отношении. Энергии фотонов, которые могут быть возбуждены в этом материале, перекрывают всю видимую область спектра. [37]
Таким образом, установлено, что добавлением нитрида галлия в расплав GaP - Ga можно регулировать содержание азота в эпитакеиальных слоях, выращенных на подложках слитков фосфида галлия, легированных серой, и на их основе получать эффективные люминесцентные источники зеленого излучения. [38]
 |
Зависимость произведения интенсивности ионного тока на температуру от обратной температуры над карбидом титана. [39] |
Поэтому скорость испарения у нитрида бора наименьшая, а нитрид галлия испаряется молекулярно. [40]
Несмотря на интересные и важные в практическом отношении свойства нитридов галлия, индия, германия способы получения их разработаны недостаточно. Кроме того, эти способы не технологичны, а в некоторых случаях требуют довольно сложной подготовки исходных материалов. [41]
Вследствие значительного снижения устойчивости s / 7-состояний галлия для образования нитрида галлия необходим азот в возбужденном состоянии. Это достигается в том случае, когда в качестве азотирующей среды применяется аммиак. Нитрид галлия обладает еще высокой устойчивостью к различным агрессивным средам и окислению, однако испарение его проходит без диссоциации на элементы. [42]
Мунир и Сирей [67] недавно измерили скорость сублимации со свободной поверхности нитрида галлия при реакции GaN ( тв. Диски и ячейка нагревались излучением от танталовой трубки в условиях, идентичных тем, при которых, как было показано, данные по давлению паров согласуются с наиболее надежными из имеющихся данных в пределах 15 % или лучше. По-видимому, нет оснований полагать, что ошибка в определении температуры в этих экспериментальных условиях при исследовании нитрида галлия должна быть больше, чем при обычном торсионно-эффузионном исследовании. [43]
Для того чтобы исключить загрязнение атмосферы и рабочих мест пылью диоксида и нитрида галлия, а также полупроводниковых компонентов, должны применяться профилактические меры, включающие изоляцию пылеобразующе-го оборудования и эффективную локальную высасывающую вентиляцию. Персональные защитные меры при производстве галлия должны предохранять от проникновения соединений галлия в организм и их контакта с кожей. Следовательно, очень важны хорошая персональная гигиена и использование индивидуальных средств защиты. Национальный институт профессиональной безопасности и здоровья США рекомендует контролировать дозировку воздействия арсени-да галлия на людей, исходя из рекомендованного предела, установленного для неорганического мышьяка, и рассчитывать концентрацию арсенида галлия в воздухе по концентрации мышьяка. Рабочие должны быть ознакомлены с возможным риском, должно быть установлено соответствующее контрольное оборудование на производстве микроэлектронных устройств, где требуется работа с арсенидом галлия. Ввиду токсичности галлия и его соединений, показанной экспериментально, весь персонал, вовлеченный в работу с ними, должен подвергаться периодическому медицинскому обследованию, причем особое внимание должно уделяться состоянию печени, почек, органов дыхания и кожи. [44]
Последнее десятилетие отмечено серьезными достижениями в технологии создания эпитаксиальных гетероструктур на основе нитрида галлия и других нитридов элементов III группы. И хотя стуктурное совершенство получаемых гетерокомпозиций еще недостаточно, сегодня мы являемся свидетелями впечатляющих достижений в разработке и реализации важнейших новых полупроводниковых приборов на их основе. Уже налажен коммерческий выпуск инжекционных голубых лазеров непрерывного действия для систем записи и считывания информации, а также высокоэффективных светодиодов для полноцветной световой индикации и бытового освещения. Начинается производство высокотемпературных СВЧ-транзисторов и силовых выпрямителей. В целом элементная база твердотельной электроники на основе нитридов развивается исключительно высокими темпами, а выращивание эпитаксиальных структур этих материалов превращается в достаточно крупномасштабное производство. [45]
Страницы: 1 2 3 4