Нитрид - галлий
Cтраница 4
Следует отметить, также, что подобная технология с успехом применена для выращивания нитрида галлия на подложках из сапфира, который обладает прозрачностью и хорошей теплопроводностью. [46]
В качестве основных полупроводниковых материалов для светодиодов применяют арсенид галлия GaAs, фосфид галлия GaP, нитрид галлия GaN, карбид кремния SiC, трехкомпонентный твердый раствор фосфида и арсенида галлия GaAsi - xPx, где O x l, и ряд других двойных и многокомпонентных полупроводниковых соединений. Использование этих материалов позволяет создать светодио-ды, работающие в инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Коэффициент полезного действия рассматриваемых приборов в основном зависит от внутреннего квантового выхода т ] ф, который равен отношению числа излученных фотонов к числу рекомбинировавших пар носителей. [47]
На практике используются также приборы на основе чистого арсе-нида галлия с излучением инфракрасного света ( Л 900 нм), нитрида галлия - голубого света и другие материалы, уступающие рассмотренным по своим характеристикам. [48]
Приведены данные по получению нитридов галлия и германия азотированием металлического галлия и германия аммиаком с использованием в исходной шихте карбоната аммония в качестве разрыхлителя, а также результаты получения нитридов галлия, индия и германия из окисей этих металлов в среде аммиака и некоторых свойств синтезированных нитридов. [49]
Нитрид галлия - тонкодисперсный порошок, в зависимости от способа получения имеет светло-серый или желтоватый цвет. Нитрид галлия кристаллизуется в Структуре вюртцита. [50]
Нитрид галлия - тонкодисперсный порошок, в зависимости от способа получения имеет светло-серый или желтоватый цвет. Нитрид галлия кристаллизуется в структуре вюртцита. [51]
При 900 С над нагретым гексафторогаллатом аммония пропускают ток сухого и очищенного аммиака. Нитрид галлия, полученный взаимодействием металла с аммиаком, имеет светло-серый цвет, а из гексафторогаллата - желтый. Он кристаллизуется в решетке вюртцита с периодами а - 3 186 и с 5 176 А. [52]
Устойчивость нитридов в кислотах различна. Нитрид галлия GaN плохо взаимодействует с концентрированными серной, соляной и азотной кислотами; нитрид индия InN быстро разлагается этими кислотами. [53]
 |
Зависимость ширины запрещенной зоны соединений A1UBV от суммарного атомного номера компонентов. [54] |
Исключительно важны пниктогениды элементов подгруппы галлия самые важные полупроводниковые соединения типа A111 Bv, Висмут такие соединения не образует. Желтый нитрид галлия получается при пропускании аммиака над нагретым до 1000 С галлием, а также в результате разложения ( NH4) JGaFJ в атмосфере аммиака. Нитрид индия получен аналогичным образом из ( NH4) JInF jl при более низкой температуре. Остальные пниктогениды получают прямым синтезом из компонентов. [55]
Висмут такие соединения не образует. Желтый нитрид галлия получается при пропускании аммиака над нагретым до 1000 С галлием, а также в результате разложения ( ГШ4) з [ СаГб ] в атмосфере аммиака. Нитрид индия получен аналогичным образом из ( РШ4) з [ 1пГ6 ] при более низкой температуре. Остальные пниктогениды получают синтезом из компонентов. [56]
Величина выхода, рассчитанная из квантовой эффективности, достигала 12000 ( кд - м - 2) / ( А-см - 2) для зеленого излучения. Интересное преимущество нитрида галлия заключается в том, что он может быть выращен на сапфировой подложке, что значительно упрощает конструкцию прибора, обеспечивает хороший теплоотвод и вывод излучения. Диоды из нитрида галлия имеют высокую стабильность. [57]
До сих пор это удается только в процессе легирования цинком в замкнутом объеме при давлении азота около 109 Па и температуре - 1500 С. Освоение процесса легирования нитрида галлия в промышленных условиях безусловно сделает этот материал одним из наиболее универсальных и эффективных в производстве светоизлучаю-щих структур. Уже сейчас характеристики светодиодов типа i - n - Me на базе GaN не уступают характеристикам светодиодов на фосфиде галлия. [58]
Нитрид галлия имеет запрещенную зону 3 5 эВ с прямыми переходами и в принципе позволяет получить излучение во всем спектральном диапазоне видимого излучения. До настоящего времени получен только нитрид галлия низкого удельного электросопротивления re - типа; попытка легировать нитрид галлия до р-типа ( например, цинком) приводит к образованию материала с высоким сопротивлением. Электролюминесценция была получена при приложении поля между двумя точечными контактами к высокоомноыу слою нитрида галлия, легированного цинком. Излучение наблюдалось в ультрафиолетовой, голубой и зеленой областях спектра. [59]
Страницы: 1 2 3 4