Sd-элемент - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Человеку любой эпохи интересно: "А сколько Иуда получил на наши деньги?" Законы Мерфи (еще...)

Sd-элемент

Cтраница 2


Шуман провел классификацию переходных 3d -, 4d - и Sd-элементов периодической системы элементов по их способности образовывать те или иные кристаллические структуры [52] и предложил гипотезу, согласно которой е-фаза должна образовываться как термодинамически устойчивая фаза при легировании железа элементами с числом внешних электронов 7 - 9 и атомным радиусом, превосходящим атомный радиус железа, но не более 10 %, При этом в областях, окружающих легирующий элемент, должны возникать высокие сжимающие напряжения, приблизительно 1000 - 1500 МПа на 1 % ( ат.  [16]

Какие условия необходимы для перевода в растворимые соединения металлов 4d - и Sd-элементов при взаимодействии их с кислотами и щелочами.  [17]

Имеется несколько исследований, посвященных выяснению вопроса о возможности образования перхлоратных комплексов двухзарядными ионами Sd-элементов. Лишь в работе [1] содержатся намеки на осуществление такой возможности, однако они представляются нам мало убедительными.  [18]

Почему электронные спектры поглощения ионов лантаноидов имеют узкие полосы, непохожие на широкие полосы в спектрах Sd-элементов.  [19]

В этой главе мы познакомимся с элементами второго и третьего переходных рядов ( 4d - и Sd-элементами), которые, хотя и имеют много общего с Sd-элементами, существенно отличаются от них большей устойчивостью высоких степеней окисления и склонностью к образованию полиядерных соединений.  [20]

Подходя к заключению, мы должны признать, что современное положение исследований в области АЯ образования соединений Sd-элементов заставляет нас с осторожностью относиться ко всем выводам, делаемым на основании графически определяемых энергий стабилизации от расщепления ( / - термов. Больше внимания должно быть направлено на освещение проблемы энергии связей в свете теории молекулярных орбиталов и возбуждаемых валентных состояний.  [21]

22 Магнитные моменты комплексов. [22]

Но даже имея в виду эти факторы, часто бывает трудно истолковать магнитные моменты комплексов Ad - и Sd-элементов. Значения, полученные при комнатной температуре, обычно существенно ниже чисто спиновых моментов, и за несколькими исключениями данными о магнитной восприимчивости этих элементов нельзя пользоваться для определения числа неспаренных электронов, степеней окисления и относительного расположения энергетических уровней d - орбиталей. Трудности возникают главным образом из-за больших констант спин-орбитального взаимодействия для этих ионов с тяжелыми ядрами.  [23]

24 Первые химические синтеза. [24]

Так же как фосфор находится около излома на границе ранних и поздних Зр-элементов, железо расположено на изломе ранних и поздних Sd-элементов. Это обстоятельство представляет именно железу большие преимущества как составной части дыхательной цепи, по которой должен двигаться электрон.  [25]

К настоящему времени было сделано относительно небольшое число попыток систематического изучения спектров переноса заряда, за исключением гексагалогенидных комплексов некоторых 4d - и Sd-элементов и некоторых цианидных комплексов. Однако этот вопрос продолжают интенсивно исследовать экспериментально, а недавно начатое использование теории молекулярных орбиталей в применении к комплексам намечает большие возможности для развития надежного теоретического подхода, который, безусловно.  [26]

В этой главе мы познакомимся с элементами второго и третьего переходных рядов ( 4d - и Sd-элементами), которые, хотя и имеют много общего с Sd-элементами, существенно отличаются от них большей устойчивостью высоких степеней окисления и склонностью к образованию полиядерных соединений.  [27]

28 Периодичность атомных радиусов элементов. [28]

Однако в III группе радиус атома галлия ( 1 22 А) меньше радиуса атома алюминия ( 1 43 А), потому что между 45-элементом кальцием и 4р - элементом галлием находится десять Sd-элементов.  [29]

30 Зависимость энтальпии образования от ступени окисления переходного элемента в системах. [30]



Страницы:      1    2    3    4