Sd-элемент

Cтраница 4

Дигалиды Мо и W в отличие от дигалидов Сг относятся к кластерным соединениям. Кластерные галиды характерны для 4d - и Sd-элементов V-VI11 групп, но не характерны для Зс. Характерная для 4d - и Sd-элементов тенденция к использованию при образовании химической связи всех своих валентных электронов обычно осуществляется за счет перехода их в высшую степень окисления. [46]

Для элементов главных подгрупп Периодической системы характерно увеличение атомных радиусов с появлением у атомов нового электронного слоя. Исключение составляют р-элементы III группы, у которых, начиная с галлия, непосредственно проявляется d - сжатие. Увеличение атомных радиусов у d - элементов с появлением нового электронного слоя происходит в меньшей степени ( влияние эффекта d - сжатия), причем основная доля такого увеличения приходится на переход от Sd-элементов к 4с ( - элементам. Атомы элементов подгруппы скандия непосредственно не испытывают d - и f - сжатия, и поэтому характер изменения атомных радиусов в этой подгруппе напоминает тот, который присущ s - и большинству р-элементов. Влияние f - сжатия можно проследить, хотя и не в столь заметной мере, и для р-элементов VI периода. [47]

IA, ПА на внешнем уровне электронных оболочек атомов содержатся один s - или два s - электрона, из-за чего обе эти группы элементов в таблице объединяют в один блок, называемый s - блоком. У атомов элементов групп I1IA, 1VA, VA, VIA, VILA, VIIIA на внешнем уровне наряду с двумя - электрона - ми содержатся р-электроны; все эти группы часто объединяют в один sp - блок. Середину этой таблицы, содержащей переходные 3ds 4d - и Sd-элементы группы IIIB, IVB, VB, V1B, VIIB-VIIIB, 1В и ИВ, а также вертикали с головными элементами Со и Ni, часто называют cf - блоком периодической системы. [48]

Тс от N ( 0) ( или от удельной электронной теплоемкости), по-видимому, будет описываться соотношением ( 1), если предположить, что V остается достаточно постоянным. Однако на каждой стороне периодической системы элементов, так же как и при переходе от 4d - к Sd-элементам, зависимость Тс от N ( 0) изменяет свой знак. При переходе от Ti к Sc и от Zr к Y Л ДО) возрастает, в то время как Тс понижается по крайней мере на один порядок. До сих пор сверхпроводимость этих элементов еще не найдена. Аналогичным образом от седьмого столбца ( от Те и Re) до десятого столбца ( до Pd и Pt) 7V ( 0) непрерывно растет, температура перехода достигает максимума и затем уменьшается до чрезвычайно малых значений для Pd и Pt. Такое же расхождение наблюдается при переходе от Ru к Os, от Rh к Ir и от Y к La. Обсудим теперь, почему эти наблюдающиеся на опыте трудности указывают на возможность существования нового механизма сверхпроводимости, отличного от механизма электронно-фо нонного взаимодействия. [49]

Но картина значительно меняется, если сопоставлять металлические радиусы. На участке Се-Sm сжатие равно 0 05 А. В ряду легких актиноидов от тория до плутония оно значительно больше - 0 28 А и по величине напоминает уменьшение радиусов в серии Sd-элементов. [50]

Линия С Is молекулы СО, адсорбированной на меди ( сплошная линия - теория, пунктир - эксперимент. [51]

Появление сравнительно интенсивных сателлитов вследствие взаимодействия конфигураций довольно часто наблюдается в рентгеноэлектронных спектрах, и это следует учитывать при интерпретации спектров. Яри адсорбции СО на меди в линиях С Is ( рис. 2.13) и Ols аблюдаются три максимума сопоставимой интенсивности, что нередко интерпретировали наличием неэквивалентных молекул СО на поверхности меди. В результате появления вакансии на ls - уровне атома 6 или С резко возрастает энергия связи вакантной орбитали 2и в СО, энергия котардй становится ниже уровня Ферми меди. Конечные состояния фотоионизации lsi - электрона О или С ( линии С Is и О Is аналогичны) характеризуются кроме ионизации ls - состоя -; ия дополнительным переходом электрона с валентной полосы Си на 2я - орбиталь. Максимум 1 связан с переходом из sp - полосы вблизи уровня Ферми, максимум 2 - с переходом из sp - полосы, расположенной на 2 эВ ниже уровня Ферми, а максимум 3 связан с тунвелированием ( монопольным возбуждением) электрона со дна sp - зоны. Таким образом, сателлиты обусловлены переходом электронной плотности к атому, у которого удален внутренний электрон, что аналогично описанному выше для сателлитов линии 2д - электронов Sd-элементов, однако кинетическая энергия для максимумов 1 и 2 увеличивается, а для максимума 3 уменьшается. [52]

Страницы: 1 2 3 4