Свободный носитель

Cтраница 1

Схема разделения зарядов при фоторефракции. При поглощении фотона видимого света электрон с донорного уровня D возбуждается в зону проводимости / 73, переносится в реальном пространстве и захватывается ионизированным донором D. В кристалле имеются также полностью заполненные акцепторные уровни А с концентрацией NA ND кбторые в фотопереходах участия не принимают. ВЗ - валентная зона.| Пространственные распределения интенсивности света 1 ( х, объемного заряда р ( х и поля Ese ( х, модулирующего показатель преломления Дп ( х при дрей.| Пространственные распределения интенсивности света 1 ( х, объемного заряда р ( х и поля Esc ( x, модулирующего показатель преломления Дп ( х, при диффузионном механизме разделения зарядов. [1]

Свободные носители перемещаются из освещенных областей в неосвещенные, где захватываются глубокими центрами. Перераспределение заряда продолжается до тех пор, пока поле пространственного заряда не скомпенсирует в освещенных областях приложенное внешнее поле. [2]

Свободный носитель может либо удалиться от иона противоположного знака за счет диффузии, либо рекомбинировать с ним. Свободный носитель заряда образуется, если тепловая энергия kT больше энергии кулоповского взаимодействия. [3]

Распределение поля в МДП транзисторе в отсутствие напряжения на.| Распределение поля в МДП транзисторе при подаче напряжения на. [4]

Свободные носители начнут двигаться в этом поле, дырки - в сторону стока, электроны - в противоположном направлении. [5]

Перенос с промежуточным носителем. [6]

Свободный носитель С еще раз перегруппировывается, и в прежнем состоянии С достигает внешней стороны мембраны. [7]

Свободные носители в полупроводниках могут возникать не только в результате теплового или оптического возбуждения самого материала, но и благодаря инжекции из электродов. [8]

Фотодиод с p - i - n структурой.| Энергетическая диаграмма фотодиода с p - i - n структурой. [9]

Свободные носители, появившиеся в промежуточной области - i за счет поглощения фотонов, быстро ускоряются электрическим полем к переходу. [10]

Свободные носители начнут двигаться в этом поле, дырки - в сторону стока, электроны - в противоположном направлении. [11]

Поэтому свободные носители в зонах могут поглощать фотоны с непрерывно изменяющейся энергией и структурных особенностей в спектре поглощения свободными носителями не наблюдается, если нет особенностей в распределении носителей в разрешенной зоне. [12]

Присутствие свободных носителей мало влияет на межзонное магнитопоглощение, если только температура достаточно низка для того чтобы хвост функции распределения давал лишь пренебрежимо малое заполнение уровней, лежащих выше уровня Ферми В этом случае единственный эффект, обусловленный свободными носителями, состоит в исключении переходов в заполненные состояния. [13]

Энергетическая диаграмма р-п перехода для вырожденных полупроводников. [14]

Концентрации свободных носителей как в р -, Так и в - области весьма высоки ( Nn xPptt 1019 см-3, и, следовательно, р-п переход создается на границе вырожденных полупроводников. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5