Свободный носитель

Cтраница 2

Концентрация свободных носителей в приповерхностном слое зависит от значения и знака поверхностного заряда ( см. § 1.8), который выше при описании эффекта поля не учитывался. [16]

Появление свободных носителей изменяет поглощение, поскольку некоторые состояния будут запрещены. [17]

Статические характеристики полевого транзистора со встроенным каналом п-типа. [18]

Концентрация свободных носителей в канале значительно меньше, чем в сильно легированных областях истока и стока. Для уменьшения проходной емкости затвор-сток, улучшения ВЧ характеристик и уменьшения внутренней обратной связи, создаваемой пассивным сопротивлением области истока, в МДП транзисторах со встроенным каналом предпочитают затвор сдвигать в направлении к истоку. [19]

Схема неравновесных энергетических состояний в полупроводнике и физический механизм образования электронно-дырочной жидкости. [20]

Система свободных носителей в полупроводниках при высоких темп - pax представляет собой слабо неидеальную, полностью ионизованную плазму. При низких темп-рах и высоких концентрациях носителей я, когда П в 1 ( ое-10 - 6 - н10 7 см-боровский радиус экситона), она приобретает свойства вырожденного ферми-газа. Sei - 10 1 - 10 эВ - энергия связи экситона), электронно-дырочные пары ( ЭДП) связываются в экситоны и образуют атомарный газ. При еще более низких темп - pax возможно возникновение экситон-ных молекул, или бижситопов, с очень малой энергией связи. Необычные коллективные явления возникают в этой системе при низких темп - pax и относительно высоких концентрациях. [21]

Число свободных носителей в металле очень велико и не зависит от температуры. [22]

Существование свободных носителей обеспечивает проводимость при любой температуре, в том числе и при 7 0, поэтому кристалл с рассмотренным спектром будет металлом. [23]

Сообщая свободным носителям задряда скорость направленного движения уд, электрическое поле § совершает работу над коллективом этих носителей, увеличивая их энергию. [24]

Поглощение свободными носителями в Si было также исследовано Спитцером и Феном [689], чьи результаты показывают, что коэффициент поглощения при 300 К пропорционален Я1 - 8 - Я1 9 при п 8 0 - 1016 - 6 1 - 1018 см-3. Интерпретируя свои данные в терминах рассеяния акустическими колебаниями решетки и примесного рассеяния ( разд. Поскольку спин-орбитальное расщепление в кремнии столь мало ( разд. [25]

При этом свободные носители уходят из i-слоя, за исключением узких приграничных областей, где образуется небольшой объемный заряд - положительный у - области и отрицательный у тг-обла-сти, - создаваемый свободными носителями, перешедшими из этих областей. [26]

Энергетические уровни сво-электронов и дырок. [27]

Дырки - свободные носители положительных электрических зарядов - можно характеризовать так же, как и электроны, уровнем энергии, соответствующем энергетическому уровню электронной оболочки, на которой имеется это незанятое место. [28]

Явление захвата свободных носителей в фотопроводнике позволяет объяснить многие люминесцентные свойства, в частности фотопроводимость соединений типа ZnS. Так как обнаружение процесса захвата проведено непосредственно при комнатной температуре, то предложено аппаратуру ЭПР использовать для измерения фотопроводимости. [29]

Процессы генерации свободных носителей и их рекомбинации протекают одновременно. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5