Свободный носитель
Cтраница 3
Направленное движение свободных носителей, вызванное их неравномерным распределением в объеме полупроводника, называют диффузионным движением. Диффузия не связана с электрическим зарядом свободных носителей, она наблюдается и для нейтральных частиц, например молекул газа, и связана с их тепловым хаотическим движением. [31]
Наличие этих свободных носителей изменяет поведение полупроводника в высокочастотном электромагнитном поле. [32]
Рассчитать вклад свободных носителей в компоненты тензора упругооптических коэффициентов ( тензор четвертого ранга), считая, что полупроводник полностью вырожден. [33]
Высокая подвижность свободных носителей [ ц 5000 см / ( В-с) ], большая ширина запрещенной зоны ( Е3 1 43 эВ), малые времена жизни носителей ( т10 - 8с) арсенида галлия делают этот материал одним из наиболее перспективных полупроводников, используемых для изготовления приборов и интегральных схем, работающих при повышенных температурах, в широком диапазоне частот, включая мм-диа-пазон. Логические элементы на основе арсенида галлия имеют время переключения порядка десятка пикосекунд. [34]
Процессы генерации свободных носителей и их рекомбинации протекают одновременно. [35]
От количества свободных носителей и их подвижности и зависит проводимость вещества. В чистых полупроводниковых веществах, о которых пока шла речь, количество свободных носителей за счет генерации пар ( и рекомбинации) при обычной температуре мало, что и определяет низкую проводимость чистых веществ. Иная ситуация наблюдается при наличии примесей. [36]
Зависимость подвижности свободных носителей в PbS от 1 / Т для различных температур подложки представлена на фиг. [37]
Процесс образования свободных носителей под действием света называют их генерацией. [38]
Расчет концентрации свободных носителей в полупроводнике является важнейшей составной частью статистики электронов. [39]
Если концентрация свободных носителей мала, то проводимость удобно1 измерять через диэлектрические потери. Разделить эти составляющие ( и, кроме того, вклад, атомной поляризации, см. ниже) можно изучением частотной зависимости диэлектрических потерь. [40]
Зависимость концентрации свободных носителей п от содержания кремния в крист алле. [42]
Поглощение света свободными носителями значительно усложняет зависимость коэффициента межзонного поглощения от интенсивности возбуждения. При определенном соотношении между параметрами функция к ( S) становится немонотонной: с ростом 5 значение к ( 5) вначале увеличивается, затем уменьшается. [43]
Поглощение света свободными носителями в полупроводниках играет в процессе генерации такую же роль, как три-плет-триплетные переходы в твердотельных лазерах. [44]
 |
Коффициент поглощения света а ( см 1 плавленым кварцем при разных температурах и длинах волн. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5