Свободный носитель

Cтраница 4

Поглощение обусловлено свободными носителями, концентрация которых увеличивается с температурой в соответствии с аррениусовой зависимостью, энергия активации равна полуширине запрещенной зоны. По сравнению с (3.4) модель Друде дает заниженные значения коэффициента поглощения. [46]

Поглощение энергии свободными носителями связано с их переходами на уровни внутри зоны. При этом спектр поглощения из-за малого энергетического зазора между уровнями зоны практически непрерывный ( линия 6 на рис. 7.2) и смещен в длинноволновую область оптического диапазона. [47]

Поглощение энергии свободными носителями не меняет их концентрацию, но увеличивает подвижность. Соответственно при этом механизме поглощения фотопроводимость называется - фотопроводимостью. Свободные носители при нормальной температуре отдают поглощенную энергию решетке через 10 - 10 - 10 - 12 с - время жизни возбужденных носителей. [48]

Поглощение света свободными носителями возрастает с ростом пе ( или Пр) и слабо возрастает с уменьшением энергии фононов. [49]

Поглощение на свободных носителях ( в чистом виде) в этой области спектра мало. [50]

Энергетические диаграммы. [51]

После процесса поглощения образовавшиеся свободные носители ( электрон и дырка) претерпевают рассеяние, которое в течение времени релаксации заставляет электрон опуститься на дно зоны проводимости, а дырку подняться к потолку валентной зоны. Такое равновесное состояние между свободными носителями и кристаллической решеткой устанавливается за время порядка 10 - 10 - 10 - 12 сек. [52]

К выводу уравнения непрерывности. [53]

При высокой концентрации свободных носителей, которая достигается при Т7 ( область IV), скорость ре - Комбинации перестает практически зависеть от концентрации носителей, а следовательно, от температуры, и определляется концентрацией центров рекомбинации. [54]

Другое средство разогрева свободных носителей предусматривает применение электрического поля, и из этого следует, что зависимость тока от напряжения не подчиняется закону Ома. [55]

Время жизни плазмы свободных носителей определяется целым рядом релаксационных процессов. [56]

Концентрации примесей и свободных носителей в каждом из слоев диода показаны на рис. 2 - 3, а, причем для наглядности разница в концентрациях рр и пп принята гораздо меньшей, чем это имеется в действительности. [57]

Временная зависимость концентрации свободных носителей, возникших в результате фотогенерации, описывается дифференциальными уравнениями. В стационарном состоянии скорость генерации свободных носителей равна скорости их рекомбинации. Обозначим Дп плотность свободных электронов, которые возникли в результате фотогенерации в полупроводнике n - типа. [58]

Если же число свободных носителей в чистом кристалле невелико, то при взаимодействии носителей, введенных примесью с точечными дефектами, выделяется энергия, которая может скомпенсировать энергию, затрачиваемую на образование точечных дефектов. Иными словами, если энергия образования дефектов мала по сравнению с их энергией ионизации, то все свободные носители, создаваемые примесью, будут компенсироваться в результате образования ионизированных дефектов, и кристалл при всех равновесных условиях будет изолятором. Поэтому эффект компенсации электрически активных примесей ионизированными точечными дефектами должен проявляться в полупроводниках с большой шириной запрещенной зоны, в которых число свободных носителей мало, даже при высоких температурах, при которых примесь вводится в кристалл. [59]

Зависимость концентрации носителей, постоянной Холла и удельного сопротивления чистого сульфида свинца от условий синтеза ( по Блюму. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5