Неосновной носитель - заряд
Cтраница 1
Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в p - n - переход и проходят через него в соседнюю область - происходит так называемая экстракция. При этом через р-п-переход будет идти обратный ток, который относительно мал из-за малой концентрации неосновных носителей заряда в прилегающих к p - n - переходу областях. [1]
Неосновные носители заряда втягиваются электрическим полем в р-л-переход и проходят через него в соседнюю область - происходит так называемая экстракция. При этом через р-л-переход будет идти обратный ток, который относительно мал из-за малой концентрации неосновных носителей заряда в прилегающих к р-л-переходу областях. [2]
Неосновные носители заряда, возникающие вследствие термической генерации в объеме полупроводника на расстоянии порядка длины диффузионного смещения от р - - перехода, будут затягиваться электрическим полем в область р - n - перехода и переноситься в область, где они являются основными. [3]
 |
Схема контактного транзистора. [4] |
Неосновные носители заряда, введенные через имеющий положительное смещение эмит-терный переход, диффундируют через область базы и, за исключением потерь на рекомбинацию, собираются на обратно смещенном коллекторном переходе. [5]
Неосновные носители заряда не встречают потенциального барьера в области р - л-пере-хода, наоборот, если благодаря тепловому движению неосновной носитель заряда попадет в область р - л-перехода, то электрическое поле в нем способствует его движению из одного кристалла в Другой. [6]
Неосновные носители заряда, совершая тепловое движение, могут попасть в область действия образовавшегося электрического поля, которое подхватывает их и переносит через границу в соседний полупроводник. Неосновные носители заряда создают потоки носителей, направленные навстречу диффузионным. Токи неосновных носителей называют дрейфовыми, так как они обусловлены действием электрического поля. [7]
Неосновные носители заряда - электроны - в зоне проводимости р-области под действием ускоряющего поля скатываются с потенциального барьера в зону проводимости / г-области. Из-за перехода электронов в полупроводник л-типа концентрация их в полупроводнике р-типа снижается и становится меньше концентрации, определяемой условием термодинамического равновесия. Это приводит к генерации электронно-дырочных пар, причем образовавшиеся дырки диффундируют в я-область, где затем рекомбинируют с электронами. Составляющую электронного тока, обусловленную электронами, скатывающимися с потенциального барьера, называют дрейфовой; она по своей физической природе представляет ток генерации. Природа дырочных токов аналогична. [8]
Соответственно неосновными носителями зарядов называются носители, концентрация которых в полупроводнике меньше. Например, дырки в полупроводнике типа п и электроны в полупроводнике типа р - неосновные носители заряда. [9]
Соответственно неосновными носителями зарядов называются носители, концентрация которых в полупроводнике меньше. Например, дырки в полупроводнике типа я и электроны в полупроводнике типа р - неосновные носители заряда. [10]
Все неосновные носители заряда, инжектированные в базу при прямом напряжении, доходят до омического перехода, где и рекомбинируют. При обратном напряжении через р-я-пере-ход диода с тонкой базой происходит экстракция всех носителей заряда, поставляемых в базу невыпрямляющим контактом. [12]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей заряда в базе диода при разных обратных напряжениях, поясняющее увеличение обратного тока в диоде с тонкой базой. [13] |
Все неосновные носители заряда, инжектированные в базу при прямом напряжении, доходят до омического перехода, где и рекомбинируют. При обратном напряжении через р-л-пере-ход диода с тонкой базой происходит экстракция всех носите / Гей заряда, поставляемых в базу невыпрямляющим контактом. [14]
Страницы: 1 2 3 4