Неосновной носитель - заряд
Cтраница 3
В диоде неосновные носители заряда диффундируют к переходу, поэтому их скорости можно представить как диффузионные длины, деленные на соответствующие времена жизни. Вместо общих концентраций р и п подставим концентрации неосновных носителей, так как с движением именно неосновных носителей заряда связан обратный ток диода. [31]
Инжектированные эмиттером неосновные носители заряда при этом попадают непосредственно в ускоряющее поле коллектора. [32]
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжокции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [33]
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжекции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. [34]
Время рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных структурой транзистора, tp - отдельный параметр, для определения которого приходится прибегать к импульсным методам измерения временных интервалов. [35]
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через омический переход в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [36]
Время жизни неосновных носителей заряда является важным электрофизическим параметром конкретного полупроводникового материала и указывается в технических условиях. К сожалению, значения т в процессе изготовления полупроводникового прибора сильно меняются и, как правило, уменьшаются. Диапазон возможных значений т в кремнии велик и простирается от единиц наносекунд до сотен микросекунд. Экспериментально установлено, что значения т коррелируют с суммарной концентрацией легирующих примесей NX ND - - A, и они тем меньше, чем больше N s Имеется много эмпирических формул, аппроксимирующих эту зависимость. [37]
 |
Прямое включение симметричного р-л-переходя. [38] |
Избыточные концентрации неосновных носителей заряда на границах - - перехода ( Др, Апр) экспоненциально растут с увеличением прямого напряжения. [39]
Уменьшение концентрации неосновных носителей заряда в области полупроводника, прилегающей к р-п-переходу, при подаче на него внешнего напряжения обратной полярности называется экстракцией. [40]
 |
Растворимость As в жидком галлии [ Shen. / California, Stanford. Thesis, Dep. Electr. Eng., 1976 ]. [41] |
Времена жизни неосновных носителей заряда в слоях, выращенных методами жидкофазной эпитаксии и химического осаждения из паровой фазы, близки. Оба метода применимы также для получения кристаллических пленок GaAs на аморфных подложках. [42]
Обусловленная инжекцией неосновных носителей заряда емкость перехода называется диффузионной. [43]
Возникает диффузия неосновных носителей заряда к границе перехода, где они подхватываются полем и переносятся через переход, как условно показано на рис. 2.13, а. Это явление называется экстракцией носителей заряда. [44]
Зависимость подвижности неосновных носителей заряда от температуры закалки германия представлена на рис. 2.17, из которого следует, что подвижность электронов ц в германии р-типа и дырок Цр в германии n - типа сильно уменьшается, если температура закалки приближается к температуре превращения. [45]
Страницы: 1 2 3 4