Неосновной носитель - заряд
Cтраница 4
Влияние инъекции неосновных носителей заряда через омические контакты сводится к минимуму, если - эти контакты отстоят на расстояние нескольких диффузионных длин от нелинейных контактов, или электронно-дырочных переходов. Однако, прибегая к этому приему, особенно в приборах, изготовленных из материала с большим временем жизни, приходится неоправданно увеличивать размеры пластинки полупроводника. В этих случаях обычно применяют другие физические и химические методы, обеспечивающие интенсивную рекомбинацию неосновных носителей заряда. [46]
 |
Зависимости пробив - Рп - Рпо - & Рп С яо. [47] |
При инжекции неосновных носителей заряда в базе диода возникает избыточная концентрация этих носителей и нарушается электрическая нейтральность базы. Для компенсации инжектированных неосновных носителей заряда через невыпрямляющий контакт в базу входят основные носители и также распределяются в базе неравномерно. [48]
 |
Транзистор в виде четырехполюсника. [49] |
Распределения концентрации неосновных носителей заряда при этом принимают вид, показанный на рис. 11.76. Токи гэ, гк и г в в этом режиме определяются так же, как и в активном режиме. Нетрудно установить, что инверсный режим работы обратен активному - эмиттер и коллектор меняются ролями. [50]
 |
Вольт-амперная характеристика четырехслойного диода. [51] |
Однако для неосновных носителей заряда этих слоев данный р-п переход является проводящим, но их имеется там небольшое количество. [52]
 |
Практическая схема усилителя с накоплением неосновных носителей заряда. [53] |
Вследствие накопления неосновных носителей заряда во время подачи сигнального импульса диод Д остается открытым в течение нескольких микросекунд также после изменения полярности напряжения. Благодаря этому через диод и сопротивление нагрузки во время питающего импульса проходит импульс тока, амплитуда которого приблизительно пропорциональна сигнальному импульсу. Для сигнальных импульсов, действующих в прямом направлении, достаточны очень малые амплитуды; наоборот, питающие импульсы, полярность которых соответствует обратному направлению, должны иметь большую амплитуду и поэтому выходная мощность может значительно превышать входную. В этой схеме возможен только один импульсный режим, при этом выходные импульсы по отношению к входным сдвинуты. Вспомогательный диод Д необходим только для развязки выхода от источника сигнала и должен по возможности работать без накопления неосновных носителей заряда. Для этой цели пригодны быстродействующие переключающие диоды или вакуумные диоды. [54]
Что касается неосновных носителей заряда, то они, двигаясь по направлению поля, создают небольшой ток во внешней цепи. Этот ток, протекающий под действием напряжения, смещающего переход в обратном ( запорном) направлении, называется обратным током перехода. Обратный ток весьма мал, но быстро увеличивается с повышением температуры, так как при этом возрастает число неосновных носителей заряда, участвующих в его образовании. От напряжения источника питания обратный ток практически не зависит, так как все неосновные носители заряда, появляющиеся в единицу времени у границы областей, увлекаются его полем. [55]
Поскольку концентрация неосновных носителей зарядов в полупроводниках меняется с изменением температуры, то ток / нас зависит от температуры. [56]
Если концентрация инжектируемых неосновных носителей заряда возрастает и становится сравнима с концентрацией основных носителей ( это происходит при сильной облученности солнечным светом, превышающей стократную, или при высоком прямом напряжении смещения), то ранее полученное уравнение переноса теряет силу. [57]
 |
Характеристика диода ( типа Д7Ж и его условное обозначение. [58] |
При насыщении все неосновные носители заряда, возникающие в области запорного слоя в полупроводнике за счет рождения пар электрон - дырка, участвуют в проводимости. Обратный ток р - - перехода ( / Обр) в области насыщения мал и слабо зависит от разности потенциалов - последнее означает, что сопротивление гобр перехода велико. Естественно, что значение тока при обратной разности потенциалов достаточно сильно зависит от температуры, ТЕК как при ее повышении увеличивается число рождающихся пар электрон - дырка. [59]
Отношение избыточной концентрации неосновных носителей заряда в базе вблизи р-и-перехода к равновесной концентрации основных носителей заряда называют уровнем и н - ж е к ц и и. Уровень инжекции определяется не только токами, протекающими через переход, но и геометрией перехода и физическими свойствами полупроводника. [60]
Страницы: 1 2 3 4