Неосновной носитель - заряд
Cтраница 2
Все неосновные носители заряда, инжектированные в базу при прямом напряжении, доходят до невыпрямляющего контакта, где и ре-комбинируют. При обратном напряжении через / 7-п-переход диода с тонкой базой происходит экстракция всех носителей заряда, поставляемых в базу невыпрямляющим контактом. [16]
Поскольку фотогенерированные неосновные носители заряда также должны туннелировать через этот слой, высокий коэффициент собирания может быть получен при толщине слоя, не превышающей 2 - 3 нм. Выражение (2.76) справедливо для приборов с МДП-структурой, в которых протекание тока связано с основными носителями заряда, при внесении соответствующих поправок в значения Фь и А, а также при условии, что слой диэлектрика имеет достаточно малую толщину, при которой возможно туннелирование носителей. [17]
Как только неосновной носитель заряда захвачен рекомбинационной ловушкой, в тот же момент захватывается один из основных носителей заряда, концентрация которых велика. [18]
Генерация неосновных носителей заряда обусловлена первоначальной диффузией основных носителей и зависит от их концентрации, которая может быть увеличена при действии внешнего электрического поля. [19]
 |
Проводники с различным типом электропроводности. а до соприкосновения. б при соприкосновении. [20] |
Движение неосновных носителей заряда под воздействием поля образует ток проводимости ( дрейфа), направленный противоположно току диффузии. [21]
Инжекция неосновных носителей заряда происходит всегда из широкозонного в узкозонный полупроводник. В гетеропереходах, образованных полупроводниками с одним типом электропроводности, выпрямление происходит без инжекции неосновных носителей заряда. [22]
Накопление неосновных носителей заряда в базе п-р - п транзистора обусловлено процессами их диффузии, дрейфа и рекомбинации. Строгий теоретический подход к анализу этих процессов заключается в решении уравнения непрерывности. При произвольном уровне инжекции уравнение непрерывности нелинейно и получить аналитическое решение для распределения п ( х, t) в базе невозможно. [23]
Подвижность неосновных носителей заряда, измеренная при наличии электрического поля, носит название дрейфовой подвижности, которая в свою очередь идентична той, которая определяется по удельной проводимости при р п или п р, а также при условии, что захвата носителей лову-щечными уровнями не происходит. В следующем параграфе будет рассмотрено уравнение переноса, в которое входят конечные значения времен жизни носителей. [24]
Потоки неосновных носителей заряда ( 3 и 4), как установлено в предыдущем параграфе, не зависят от высоты потенциального барьера и сохраняются неизменными. [25]
Концентрация неосновных носителей заряда т0 на границе эмиттера одинакова по всей площади перехода, так как она зависит от напряжения на переходе. [26]
 |
Устройство точечных диодов. [27] |
Накопление неосновных носителей зарядов вблизи р-л-перехода во время прохождения прямого тока ухудшает динамические свойства диода, особенно при работе в импульсных схемах. [28]
Инжектированные эмиттером неосновные носители заряда при этом попадают непосредственно в ускоряющее поле коллектора. [29]
В диоде неосновные носители заряда диффундируют к переходу, поэтому их скорости можно представить как диффузионные длины, деленные на соответствующие времена жизни. Вместо общих концентраций рил подставим концентрации неосновных носителей, так как с движением именно неосновных носителей заряда связан обратный ток диода. [30]
Страницы: 1 2 3 4