Неосновной носитель - ток
Cтраница 1
Неосновные носители тока в объеме образна ответственны только за часть полного обратного тока коллектора. [1]
Неосновные носители тока каждой области, диффундирующие к р - л-переходу, увлекаются через него контактным полем и заряжают - область положительно по отношению к л-области. Контактное поле в переходе при этом ослабляется, и начинают усиливаться потоки основных носителей. [2]
Неосновные носители тока - дырки, вошедшие в коллекторную область из базы, должны были бы вызвать появление электрического поля. [3]
Эти неосновные носители тока свободно переходят через потенциальный барьер, так как электрическое поле Е п в этом случае не препятствует, а способствует их переходу. [4]
Число неосновных носителей тока ограничено и вследствие беспорядочности теплового движения они не могут накапливаться в сколько-нибудь значительном количестве вблизи р-п-перехода. [5]
Инжекция неосновных носителей тока уменьшает сопротивление нитевидного образца между эмиттером и коллектором и тем самым вызывает рост тока коллектора. Схема питания нитевидного транзистора также показана на фиг. Пусть Fc - напряжение на коллекторе, a Ve - потенциал некоторой точки нитевидного образца, расположенной вблизи эмиттера, причем оба потенциала отсчитываются по отношению к потенциалу базы. Допустим далее, что потенциал Vc настолько велик, что все дырки переносятся полем к коллектору и не диффундируют в заметном количестве к базовому контакту ( см. гл. [6]
Время жизни неосновных носителей тока в InSb столь мало, что обычные методы непосредственного измерения этого параметра оказываются непригодными и поэтому приходится пользоваться косвенными средствами, как, например, методом компенсации фотомагнитного эффекта фотопроводимостью ( см. гл. [7]
Время жизни неосновных носителей тока тг, определяемое излуча-тельной рекомбинацией в InSb, вычислялось разными авторами, принимавшими за основу различные величины коэффициента поглощения в области сильного поглощения. Этим способом были получены значения тг, лежащие в пределах от 0 7 до 0 3 мксек. Наиболее вероятно значение, полученное Гудвином и МакЛином [22] на основании исследования поглощения с помощью фотоэлектромагнитного эффекта. Для образцов с почти собственной проводимостью тг0 36 мксек; у образцов с концентрацией основных носителей тока 1017 см 3 величина тг падала до 0 1 мксек. [8]
 |
Внешний вид ( а и разрез ( б германиевого точечного триода. [9] |
За это время неосновные носители тока ( дырки) в электронном германии под действием поля коллектора успевают войти в зону р - n - перехода коллектора, что приводит к значительному повышению его проводимости. [10]
Очевидно, эти неосновные носители тока свободно переходят через потенциальный барьер, так как электрическое поле здесь не препятствует, а способствует их прохождению. Они образуют так называемый обратный ток. С увеличением обратного напряжения этот обратный ток быстро достигает своего предельного значения, определяемого числом электронно-дырочных пар, образующихся в образце в единицу времени. [11]
Существование центров захвата неосновных носителей тока ( отличных от обычных центров рекомбинации) впервые было обнаружено при измерениях подвижности дрейфа по времени пролета. Инжектируемые носители тока испытывают одновременно диффузию и дрейф в электрическом поле, рекомбинируя вместе с тем с основными носителями тока. Второй точечный контакт, расположенный на одной линии с первым, используется для измерения зависимости концентрации неосновных носителей тока от времени и от расстояния до инжектирующего контакта. Сигнал, получаемый на коллекторе, показан схематически на фиг. [12]
В промежуточной области концентрация неосновных носителей тока может зависеть от освещенности сильнее, чем линейно. [13]
Предполагается, что инжекция неосновных носителей тока коротким импульсом происходит в начальный момент времени. Если исследуется образец германия при комнатной температуре, то импульс, получаемый на коллекторе за счет неосновных носителей, имеет вид пунктирной кривой на фиг. Здесь имеет место размытие и уменьшение импульса со временем и с расстоянием от эмиттера. В дырочном кремнии при комнатной температуре, а также в электронном германии при температуре - 80 С и ниже форма импульса оказывается иной-она представлена сплошной линией на фиг. [14]
Хорнбск и др. Захват неосновных носителей тока в кремнии. [15]
Страницы: 1 2 3 4