Неосновной носитель - ток
Cтраница 3
 |
Схема освещения образца. [31] |
Поскольку рассматривается вопрос о диффузии и дрейфе неосновных носителей тока, объемный заряд которых компенсируется соответствующим перераспределением концентрации основных носителей тока, поле Е постоянно и равно полю, приложенному к образцу. [32]
В другом часто применяемом методе измерения времени жизни неосновных носителей тока [17] для их введения в образец используется световой пучок. Падая на образец, фотоны создают избыточные носители тока за счет вырывания электронов из валентной зоны или с примесных уровней. [33]
Далее, основой работы биполярных транзисторов является внедрение неосновных носителей тока ( дырок) в электронный полупроводник в случае точечно-контактных триодов и плоскостных транзисторов р-га-р-типа и электронов в полупроводник с дырочной проводимостью в транзисторах ге-р-я-типа. [34]
Если в базе имеется поле, ускоряющее движение неосновных носителей тока, то по этой формуле будут получены заниженные результаты. [35]
Для выяснения этого вопроса было исследовано время жизни неосновных носителей тока на чистой поверхности германия и на германии, хемосорбировавшем кислород. [36]
Схема, использованная для сравнения инжекции и экстракции неосновных носителей тока. [37]
Если предположить, что имеется 1015 см 3 неосновных носителей тока ( и, следовательно, акцепторов) и что существуют только один донорный и один акцепторный уровни, то время жизни свободных электронов при 4 К получается порядка 3 - 10 - 8 сек. Это согласуется с данными Бурштейна, Оберли и Дэвиссона [7], которые получены из опытов по фотопроводимости и согласно которым верхний предел времени жизни составляет 10 - 4 сек. Если использовать взаимодействие Гудмона, Лоусона и Шиффа [1], то вероятность захвата при 4 К уменьшается приблизительно в 17 раз. [38]
Это обеспечивает условия квазинейтральности, при которых диффузия неосновных носителей тока протекает аналогично диффузии нейтральных частиц, не осложняемой появлением полей, противодействующих диффузии. [39]
Если в базе имеется поле, ускоряющее движение неосновных носителей тока, то по формуле ( 4 - 25) оно даст заниженные результаты. [40]
В этом параграфе описываются измерения объемной проводимости при эксклюзии неосновных носителей тока. Для образцов различного сопротивления была исследована зависимость переходных и стационарных изменений проводимости от напряжения и температуры. [41]
 |
Характеристики р-п-перехода. [42] |
Это связано с наличием в слое п некоторого числа неосновных носителей тока - дырок и в слое р - свободных электронов, которые будут проникать в пограничную область и поддерживать ток через нее. [43]
Под действием этого поля инъектированные в базу дырки, будучи неосновными носителями тока, перемещаются из базы в коллектор. [44]
 |
Схема образования р-п-пере-хода двух полупроводников.| Схема работы р-л-перехода двух полупроводников ( плоскостной диод при приложении к ним напряжения. [45] |
Страницы: 1 2 3 4