Неосновной носитель - ток
Cтраница 4
Кроме того, в обоих полупроводниках имеются в небольшом количестве неосновные носители тока. Так, в полупроводнике n - типа содержится небольшое количество дырок, а в полупроводнике р-типа - некоторое количество электронов. [46]
Из формулы ( 3) следует, что время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально произведению вероятности захвата электрона на концентрацию незанятых уровней. В исследуемой области температур величина рй мала по сравнению с TV, и вероятность /, для данных образцов постоянна. [47]
В противовес эффекту инжекции можно ожидать, что уменьшение концентрации неосновных носителей тока вблизи коллектора благодаря какому-либо механизму обеднения уменьшит проводимость коллектора. Коллекторный контакт, таким образом, может служить в качестве зонда для обнаружения эксклюзии неосновных носителей тока в образце. [48]
 |
Схема опыта по обнаружению области с дырочной проводимостью вблизи острия на л-гер-мании. [49] |
Наконец, как мы видели, точечный контакт служит эмиттером неосновных носителей тока, например дырок в - германий. [50]
Сущность метода состоит в инжекции в нитевидный образец узкого импульса неосновных носителей тока и в смещении этого импульса вдоль образца при помощи электрического поля. Одна из наиболее распространенных схем этого опыта показана на фиг. [51]
При подаче на точечный контакт напряжения в прямом направлении он эмигрирует неосновные носители тока в германий. В настоящем параграфе сначала рассматриваются влияние неосновных носителей тока на электрические свойства полупроводника и способы их введения. [52]
Когда коэффициент у мал, а направление поля таково, что неосновные носители тока ( дырки) движутся к электроду, расположенному при х0, можно наблюдать явление, обратное эксклюзии носителей. Поскольку коэффициент у мал, то при нормальной концентрации дырок они не успевают достаточно быстро проникать в электрод, вблизи которого таким образом происходит накопление дырок и создается высокая их концентрация. [53]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода.., - здс на частоте сигнала ш. шЬ Л. 1, шСб. ш /. Д11 Д. 1 / шС Я0. [54] |
Характер изменения сопротивления между эмиттером и базой 1 связан с движением неосновных носителей тока иод влиянием диффузии и олектрич. Такой процесс описывается нелинейными ур-ииямп, точного решения к-рых еще нет. [55]
Получены образцы германия с примесью меди, в которых время жизни неосновных носителей тока обратно пропорционально вероятности захвата электронов верхним акцепторным уровнем меди. Показано, что время жизни экспоненциально уменьшается с увеличением температуры. [56]
 |
Измерение дифференц. прямого сопротивления диода. М - эдс на частоте сигнала ш. ш. / Д. l ( oC6. uL. Д Д. 1 / шС Д0. [57] |
Характер изменения сопротивления между эмиттером и базой 1 связан с движением неосновных носителей тока под влиянием диффузии и электрич. Такой процесс описывается нелинейными ур-ниями, точного решения к-рых еще нет. [58]
 |
Влияние диффузионной. [59] |
В свою очередь повышение в кристалле германия n - типа концентрации неосновных носителей тока - дырок вызывает увеличение тока насыщения и, следовательно, облегчает процесс анодного растворения. [60]
Страницы: 1 2 3 4