Неосновной носитель - ток
Cтраница 2
Хэйни и др. Захват неосновных носителей тока а кремнии. [16]
В этих условиях концентрации неосновных носителей тока на границах р-п перехода больше равновесных, значит дырки и электроны будут диффундировать от р-п границы в глубь соответствующих областей. Стационарное распределение дырок и электронов и их градиенты, а следовательно, токи можно легко определить. [17]
Но уменьшение времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниковом материале существенно увеличивает величину обратного тока через диод. Таким образом, для изготовления диодов, способных работать в импульсных схемах, приходится подбирать оптим-альные варианты сочетания р и т в исходном материале. [18]
 |
Зависимость от длины волны. [19] |
В некоторых кристаллах вглубъ диффундируют только неосновные носители тока, так как основные носители, зародившиеся в приповерхностном слое, захватываются центрами прилипания. В этом случае скорость рекомбинации в объеме возрастает, что также уменьшает действие света на объемную проводимость. Может случиться даже, что влияние увеличения скорости рекомбинации будет настолько значительным, что объемная проводимость не увеличится, а уменьшится. Это явление, носящее название отрицательной фотопроводимости ( отрицательного внутреннего фотоэффекта), действительно наблюдается в некоторых веществах. [20]
Принято считать, что рекомбинация неосновных носителей тока в объеме монокристалла германия связана с переходами на промежуточные энергетические уровни, расположенные в запрещенной зоне. [21]
Эксклюзия подавляет собственное возрастание концентрации неосновных носителей тока на интервале около 50 К. Есть, однако, причины, ограничивающие область, в которой эксклюзия эффективна. Другим важным фактором является сама структура эксклюзирующего контакта. Можно ожидать, что эмиссионный ток па входном контакте 7PS будет возрастать с температурой; таким образом, возрастает и - ] гс, и эксклюзия становится менее эффективной. Для исследованных здесь образцов максимум р, наблюдался при температурах, при которых время пролета еще заметно меньше времени жизни. Перегиб Р, при возрастающей температуре тогда должен быть обусловлен контактами. [22]
 |
Статические характеристики транзистора. а - характеристика тока эмиттера при общей базе. б - характеристики тока коллектора при общей базе. [23] |
В области р пришедшие электроны становятся неосновными носителями тока. Если базовая область достаточно узка ( что и стараются выполнить), то диффундирующие в нее электроны смогут достигать второго перехода. Практически второго перехода могут достигать свыше 90 % эмиттированных электронов, что, как мы увидим, очень важно. [24]
В настоящее время хорошо известно, что неосновные носители тока можно инжектировать в германий с помощью точечного контакта или р - п-перехода, включенного в прямом направлении. Эксперимент, описанный Хэйнсом и Шокли1), считается классической иллюстрацией этого явления. [25]
Имеется несколько методов прямого измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводнике. Два из них являются наиболее распространенными. Первый, импульсный, метод [16] основан на пропускании через образец малых импульсов тока, причем для предупреждения нагревания образца частота следования импульсов берется небольшой. При этом на экране осциллографа наблюдают кривые зависимости сопротивления образца от времени. [26]
Описанные в этой статье измерения времени жизни неосновных носителей тока в кремнии вблизи р - / г-псрехода показывают, что время жизни зависит от концентрации неосновных носителей и от температуры. [27]
Результирующий приток дырок 1р может создаваться инжекцией неосновных носителей тока из металла или электролита, находящихся в контакте с поверхностью. V - число электронно-дырочных пар, ежесекундно создаваемых светом на единице площади. [28]
Можно создать условия, при которых прохождение неосновных носителей тока в полупроводнике задерживается, и получить этим способом добавочное усиление по току. С триодом, где используется этот способ увеличения я, мы встретимся ниже. В германии & 2, так что для нитевидного триода получается атах я 3, и выходной ток гк больше входного тока 1Ь, а так как в выходную цепь между коллектором и базой можно включать большое нагрузочное сопротивление, то усилитель с нитевидным триодом дает усиление по напряжению и по мощности. Величина усиления будет вычислена ниже. [29]
Мы обсудили неко орые детали процесса движения неосновных носителей тока, в примесных полупроводниках, у которых рС / г или и - Ср, поскольку анализ при этих допущениях значительно более прост, чем при условии пър. [30]
Страницы: 1 2 3 4