Избыточный носитель

Cтраница 1

Избыточные носители можно инжектировать в однородный гомогенный полупроводник путем оптического возбуждения или путем бомбардировки быстрыми электронами; в результате возникает излучение, обычно называемое соответственно фотолюминесценцией и катодолюминесценцией Приложение сильного электрического поля для получения свободных носителей путем ударной ионизации представляет собой еще один возможный метод инжекции, но на практике его трудно использовать в случае объемного полупроводника Наиболее эффективный метод инжекции больших концентраций носителей в полупроводниках заключается в использовании р - - перехода, включенного в прямом направлении; на этом принципе основано действие полупроводниковых лазеров и светодиодов ( некогерентных источников света), как это описано в гл. [1]

Конструкция фотодиода ФД-1 в металлическом корпусе. [2]

Избыточные носители, возникшие под действием освещения на расстоянии, большем диффузионной длины, не будут участвовать в изменении проводимости p - n - перехода, так как рекомбинируют, не дойдя до него. [3]

Избыточные носители в таком приборе могут возбуждаться не только светом, но и другими ионизирующими агентами, например быстрыми электронами, а-частицами или - - лучами, возникающими при радиоактивном распаде. Поэтому устройства такого типа могут применяться в качестве индикаторов радиоактивных излучений, а также использоваться для непосредственного превращения ядерной энергии в электрическую. [4]

Избыточные носители ( в полупроводниках) - электроны и дырки, концентрация которых превышает равновесную. [5]

Если избыточные носители образуются в локальной области образца, то происходит диффузия из области с высокой концентрацией носителей. [6]

Сдвигающий регистр. [7]

Однако избыточные носители, находящиеся в средней области р-типа, в районе включенных каскадов под действием поля, созданного сдвигающим импульсом, переносятся к соседнему разряду. Если в тот момент, когда носители достигнут соседнего тиристора, прекратится сдвигающий импульс, то эти каскады перейдут во включенное состояние, а предыдущие каскады останутся выключенными. [8]

Экспериментальная ( ООО и теоретическая ( - зависимости поверхностной фото - ЭДС в Ge от изгиба зон. [9]

Если избыточные носители вводятся за счет фотоактивного поглощения света, то возникающую ЭДС называют поверхностной фото - ЭДС. Во-первых, это изменение, обусловленное присутствием избыточных зарядов в приповерхностном слое пространственного заряда. Равновесная функция Ферми заменяется при этом ее квазиравновесным значением, зависящим от уровня инжекции. Во-вторых, присутствие избыточных носителей заряда может привести к изменению значения поверхностного заряда Qvsc за счет захвата части неравновесных носителей на ПЭС. [10]

К выводу уравнения непрерывности. [11]

Поведение избыточных носителей в полупроводниках описывается уравнением непрерывности. Рассмотрим кратко содержание этого уравнения. [12]

Инжекция избыточных носителей приводит к возникновению градиентов концентрации, но при этом в стационарных условиях для сохранения нейтральности локальные избыточные концентрации будут всюду одни и те же. [13]

Концентрации избыточных носителей, накопленных в базах, велики и могут превышать 1017 см-3. При этих условиях необходимо учитывать в общем случае снижение коэффициентов инжек-ции эмиттерных переходов с ростом тока и снижение под-вижностей электронов и дырок из-за их взаимного рас-рассеяния. [14]

Влияние модуляции толщины базы на входные величины. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5