Избыточный носитель

Cтраница 2

Заряды избыточных носителей пропорциональны площадям под кривыми их распределения. Поскольку база в целом нейтральна, можно считать эти площади одинаковыми. [16]

Накопление избыточных носителей в виде избыточного заряда практически прекращается через время ta 2 2тн, называемое временем накопления. [17]

Число избыточных носителей ( электронов) при этом почти равно A. [18]

Заряды избыточных носителей пропорциональны площадям под кривыми их распределения. Поскольку база в целом нейтральна, можно считать эти площади одинаковыми. [19]

Образование избыточных носителей требует затраты энергии. Эта энергия черпается из внешнего агента и запасается непосредственно носителями тока, в то время как тепловая энергия решетки остается практически неизменной. [20]

Присутствие избыточных носителей тока ( введенных дырок или электронов) приводит к изменению или модуляции сопротивления образца германия, а значит, к ошибкам в измерении разности потенциалов и, следовательно, напряженности электрического поля в образце. Чтобы свести к минимуму так называемую модуляцию проводимости, используются очень малые эмиттерные токи, что делает необходимым усиление выходного сигнала. [21]

Инжекция избыточных носителей тока в германий и кремний может существенно повысить концентрацию носителей тока и тем самым усилить поглощение света свободными носителями тока. Гибсон [68] применил этот эффект для модуляции интенсивности пучка инфракрасных лучей и таким образом создал основу системы связи на инфракрасных лучах. Ганн и Хогарт [69] воспользовались для модуляции сантиметровых волн явлением эксклюзии носителей тока. Образец германия с собственной проводимостью, помещенный в волновод, весьма сильно поглощает при комнатной температуре излучение сантиметрового диапазона. Приложив к образцу значительный импульс напряжения, вызывающий экстракцию носителей тока, можно намного процентов понизить их концентрацию ( см. гл. [22]

Постепенно рассасываются избыточные носители и у эмиттерного перехода, и он запирается. [23]

Типичные зависимости проводимости полупроводника от температуры при различных содержаниях примеси. [24]

При этом избыточные носители называются неравновесными. [25]

Схемы полупроводниковых ключей. а - с общим эмиттером. б - с общей базой. в - с общим коллектором. [26]

Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных в базе насыщенного триода, начинается с момента подачи на его вход импульса тока запирающей полярности. На этой стадии в схеме с общей базой процессы происходят так же, как в схеме с общим эмиттером, поэтому формулы, необходимые для анализа указанных схем, являются общими. [27]

Стадия рассасывания избыточных носителей, накопленных у р-п переходов, количественно характеризуется временем рассасывания tvac, определяемым как время, прошедшее с момента подачи запирающего импульса до момента смещения р-п переходов в обратном направлении. В схемах на униполярных транзисторах эта стадия отсутствует. После запирания р-п переходов и перекрытия канала униполярного транзистора начинается стадия формирования среза выходного импульса, которая количественно характеризуется двумя величинами: временем задержки / а, определяемым как время, в течение которого срез выходного импульса изменяется на 0 1 от своего амплитудного значения, и длительностью среза выходного импульса tcp, представляющей собой время, в течение которого выходной импульс спадает от 0 9 до 0 1 своего амплитудного значения. [28]

Распределение концентрации избыточных носителей, когда оба перехода смещены в прямом направлении. [29]

После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении. Когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фг, ток коллектора резко спадает и начинается стадия формирования среза выходного импульса. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5