Избыточный носитель
Cтраница 3
Процесс образования избыточных носителей называют процессом генерации электронно-дырочных пар. Если генерация пар происходит в полупроводнике n - типа, то относительное приращение концентрации электронов в зоне проводимости Ап / п0 будет невелико, а приращение концентрации дырок в валентной зоне Ар / р0, наоборот, будет значительным. [31]
Пусть концентрации избыточных носителей п и р велики по сравнению как с Ng, так и с концентрацией термически возбужденных электронов пп. Этот случай в точности совпадает с соответствующей задачей об изоляторе. [32]
 |
Схема опыта для измерения фотопроводимости. [33] |
Стационарная концентрация избыточных носителей зависит от интенсивности и длины волны падающего излучения и скорости их рекомбинации. [34]
После рассасывания избыточных носителей коллекторный переход смещается в обратном направлении и, когда напряжение на переходе достигает нескольких единиц фт, происходит спад тока коллектора. Начинается стадия формирования среза выходного импульса. [35]
После прекращения освещения избыточные носители рекомбинируют друг с другом и восстанавливается прежняя величина проводимости, характерная для необлучаемого элемента. [36]
В процессе диффузии избыточные носители ( в нашем случае - дырки) приобретают определенную скорость, которую можно оценить из соотношения ( см. сноску на стр. [37]
 |
Структура транзистора, положенного в основу рас. [38] |
Закон изменения концентрации избыточных носителей от эмиттера к коллектору линейный. [39]
По мере рассасывания избыточных носителей положительное смещение на эмиттерных переходах / г и / 3 уменьшается и в некоторый момент времени они смещаются в обратном направлении. При этом обратный ток через тиристор уменьшается, а напряжение на тиристоре возрастает вследствие увеличения его сопротивления. [40]
В результате взаимодействия избыточного носителя с фононами решетки может образоваться такое искажение решетки вокруг носителя, которое не приведет к появлению самозахваченного состояния. Целесообразно рассмотреть два ( довольно резко отличающихся) предельных случая такого взаимодействия. Если область искажения решетки пространственно ограничена ближайшими соседями ( т.е. радиус ее примерно равен постоянной решетки), то сложная квазичастица, включающая это искажение и избыточный заряд, называется малым полкронам. Термин большой полярон применяется для описания такого состояния, при котором искажение решетки охватывает область с радиусом, значительно превышающим постоянную решетки. Голое зонное состояние ( электрона или дырки) может быть одето либо акустическими, либо оптическими фононами, так что возможно широкое разнообразие поляронов. Кроме подвижных малых и больших поляронов иногда имеет смысл рассматривать локализованный полярон, который образуется, если ширина зоны малого полярона настолько сужается, что время пребывания заряда на любом узле становится весьма большим по сравнению с периодом собственных атомных ( или молекулярных) колебаний. Такой полярон будет самозахвачен. Подобные соображения можно отнести и к большим поляронам, так что очевидно, что термины локализованный, подвижный, большой и малый описывают предельные решения для гамильтонианов избыточного заряда в случае взаимодействия с фононами. [41]
Это значит, что избыточные носители будут находиться на поверхностных атомах. Так как постоянная решетки я-3 10 - - 8 см, то один избыточный носитель будет приходиться на - - f - 200 поверхностных атомов. [42]
По истечении этого времени избыточные носители, накопленные в базе, рассосутся, коллекторный переход сместится в обратном направлении и транзистор вновь обретет усилительные свойства. С этого момента ток коллектора начинает уменьшаться, когда величина его упадет до значения / ко, транзистор закроется. На этом этапе происходит формирование заднего фронта импульса. [43]
Далее происходит процесс термализации избыточных носителей [661] за счет испускания фононов, который более вероятен, чем прямая рекомбинация носителей противоположного знака. Избыточные носители, прежде чем произойдет рекомбинация, занимают область локализованных состояний. Такая решеточная релаксация ( рис. 119) служит причиной стоксовского сдвига полосы люминесценции относительно зонного края. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5