Избыточный носитель
Cтраница 4
Аналогично происходит процесс исчезновения избыточных носителей ( электронов и дырок) из области базы р-типа. [46]
Для ускорения процесса рассасывания избыточных носителей при переключении транзистора из открытого состояния в запертое ( см. Время рассасывания) часто сопровождают такое переключение сменой полярности напряжения на эмиттерном переходе. При этом в цепи базы возникает запирающий ток ( он имеет направление, обратное току, открывающему транзистор) Отношение величины запирающего тока к току базы, переводящему рабочую точку транзистора из активной области на границу области насыщения, называют К. [47]
Для ускорения процесса рассасывания избыточных носителей при переключении транзистора из открытого состояния в запертое ( см. Время рассасывания) часто сопровождают такое переключение сменой полярности напряжения на эмиттерном переходе. [48]
 |
Схема трансформаторного усилителя-расширителя. [49] |
При этом замедляется рассасывание избыточных носителей и возрастает длительность плоской вершины выходного импульса. [50]
Так как длины диффузии избыточных носителей тока велики по сравнению с толщиной образца, и поверхность обработана так, что скорость поверхностной рекомбинации мала, то естественно считать концентрацию неосновных носителей тока и объемное время жизни одинаковыми по всей толще образца. [51]
 |
Типовая вольтамперная характеристика германиевого диода. [52] |
Проводимость типа р создается избыточными носителями положительных зарядов, так называемыми дырками, образующимися вследствие недостатка электронов в слое. В слое типа п проводимость осуществляется избыточными электронами. [53]
Отсюда видно, что концентрации избыточных носителей у границ а и b связаны друг с другом и что избыточная концентрация из-за более высокой концентрации неосновных носителей рп или пр в менее легированной области возрастают быстрее ( ср. [54]
За это время происходит рассасывание избыточных носителей в базах и восстанавливается запирающая способность управляющего электрода. [55]
Отсюда видно, что концентрации избыточных носителей у границ а и Ь связаны друг с другом и что избыточная концентрация из-за более высокой концентрации неосновных носителей рп или пр в менее легированной области возрастают быстрее ( ср. [56]
Процесс выключения связан с рекомбинацией избыточных носителей, поэтому время выключения Выкл существенно зависит от времени жизни дырок и электронов в р-п-р-п структуре. [57]
Для наглядного изображения изменение концентрации избыточных носителей удобно ввести понятие о квазиуровнях Ферми. Выбитые светом электроны и дырки, имеющие вначале кинетическую энергию, значительно превышающую среднюю энергию электрона в кристалле kT, сталкиваясь с решеткой, быстро отдают ей свою избыточную энергию. [58]
При очень больших токах концентрация избыточных носителей и в - области может значительно препысить равновесную и в этих условиях р ( 0) рр. При этом приложенное напряжение делится между р и - областями и проведенное здесь рассмотрение стапопится, вообще говоря, несправедливым. [59]
Очевидно, что время выхода избыточных носителей из. Как время рассасывания, является характерным параметром транзистора. Кроме того, интересно знать максимальную величину заряда избыточных носителей, которые могут перейти из коллектора в базу при форсированном запирании, Фмакс. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5