Основной носитель - заряд
Cтраница 1
Основные носители заряда в нем - электроны, а неосновные - дырки. Последние возникают лишь в результате разрыва валентных связей и их концентрация при низких температурах мала. Но при увеличении температуры примесная проводимость, напротив, делается гораздо меньше, нежели собственная, и концентрация дырок становится практически равной концентрации электронов. [1]
 |
Вольт-амперная характеристика р-п перехода ( а при прямом ( б и обратном ( в включении. [2] |
Основные носители заряда перемещаются к границе перехода, а обладающие наибольшей энергией переходят через границу в противоположную область, создавая диффузионный прямой ток. По мере увеличения внешнего напряжения прямой ток возрастает; инжектированные носители, углубившись в толщу кристалла, рекомбинируют с основными носителями этой области, но пока подключен внешний источник, ток через переход поддерживается непрерывным приходом электронов из внешней цепи в n - область и уходом их из р-области во внешнюю цепь, благодаря чему восстанавливается концентрация дырок в р-области. Обратное внешнее напряжение ( р-область присоединяется к отрицательному, а я-область - к положительному выводу источника) создает электрическое поле, совпадающее с полем р-п перехода; потенциальный барьер возрастает, ток диффузии основных носителей практически обращается в нуль. Поскольку, поблизости от перехода количество основных носителей уменьшается, его толщина и электрическое сопротивление возрастают. [3]
Основные носители заряда коллектора ( дырки), вследствие того что потенциальный барьер коллекторного перехода велик, практически не могут уйти из коллектора в базу. Через транзистор происходит сквозное движение дырок от эмиттера через базу к коллектору и лишь незначительная часть их из-за рекомбинации с электронами базы не доходит до коллектора. Часть электронов базы, рекомбинировавших с дырками эмиттера, восполняется электронами источника, которые поступают в базу через ее вывод. [4]
Основными носителями заряда в полупроводнике / г-типа являются электроны, а неосновными - дырки. [5]
Основными носителями зарядов у данного типа транзисторов являются дырки. При подключении питания ( плюс - на эмиттер, минус - на коллектор) они начинают перемещаться от эмиттера к коллектору, но число их невелико, поскольку требуется преодолевать два р-п-перехода. [6]
Диффундирование основных носителей заряда затрудняется, и ток диффузии уменьшается. [7]
Подвижность основных носителей заряда ц при 77 К должна быть не менее 3 - Ю4 и 4 - Ю4 см2 / ( В-с) для марок ПМЭП-0 и ИМЭ соответственно, для остальных марок ц - не ли - Митируется. [8]
 |
Механизм возникновения тэков диффузии, рекомбинации и генерации.| Возникновение тока рекомбинации ( а и тока генерации ( б. [9] |
Движение основных носителей заряда, возникшее в полупроводнике при инжекции в него неосновных носителей, называется током рекомбинации. [10]
 |
Поле потенциалов в базовой области транзистора. [11] |
Подвижность основных носителей заряда, зависящая от концентрации легирующей примеси и величины электрического поля в полупроводнике ( 7 ]; N ( х) - концентрация легирующей примеси; q - заряд электрона. [12]
 |
Схема устройства плоскостного германиевого транзистора типа р-п - р. [13] |
Поток основных носителей заряда перемещается в канале, представляющем полупроводник п - или р-типа. Управление потоком основных носителей осуществляется изменением поперечного сечения канала под действием электрического поля управляющего электрода. [14]
Концентрация основных носителей заряда р-области рр 1017 см-3, n - области пта101в см-3, значение приложенного напряжения ( 7Пр0 25 В, коэффициенты диффузии Dn 93 см2 / с, Dp44 см2 / с, диффузионные длины носителей заряда Ln0 l CM, Lp0 07 см, время жизни носителей заряда т10 мкс. [15]
Страницы: 1 2 3 4