Основной носитель - заряд
Cтраница 2
 |
Зонная диаграмма и схема.| Зависимость удельного сопротивления полупроводника от концентрации примеси. [16] |
Так как основные носители заряда частично рекомбинируют с неосновными носителями заряда и вероятность этой рекомбинации тем больше, чем больше концентрация основных носителей заряда в примесном полупроводнике, то концентрация неосновных носителей заряда оказывается ниже. [17]
В результате наиболее быстрые основные носители заряда, обладающие повышенной энергией, начинают проскакивать через переход, восстанавливая снизившуюся разность потенциалов. Таким образом, в области р-л-перехода имеет место динамическое равновесие. [18]
Процесс введения основных носителей заряда через / - л-переход с пониженной высотой потенциального барьера в область полупроводника, где эти носители заряда являются неосновными, называется инжекцией. Инжектированные носители диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с основными носителями этой области. Дырки, проникшие из / ьобласти в - область, рекомбинируют с электронами, поэтому диффузионный дырочный ток 1р постепенно спадает в - области до нуля. [19]
Процесс перемещения основных носителей заряда в смежный слой, где они становятся неосновными, называется инжек-цией. Этому случаю соответствует прямой ток / п через переход, а внешнее напряжение считается прямым ( 1 / по) или прямосмещающим. [20]
Процесс введения основных носителей заряда через р-и-переход с пониженной высотой потенциального барьера в область полупроводника, где эти носители заряда являются неосновными, называется инжекцией. Инжектированные носители диффундируют вглубь полупроводника, рекомбинируя с основными носителями этой области. Дырки, проникшие из / - области в я-область, рекомбинируют с электронами, поэтому диффузионный дырочный ток 1р постепенно спадает в - области до нуля. [21]
Коэффициент переноса основных носителей заряда х показывает долю электронов, достигших коллектора, с учетом их частичной рекомбинации в базе и рассеяния на неоднородностях кристаллической решетки. Коэффициент переноса зависит от конструктивного исполнения транзистора и условий работы базы. [22]
 |
Уровень Ферми в полупроводниках. а - до контакта. б - после контакта. [23] |
Благодаря перемещению основных носителей заряда вблизи перехода из л-полу-проводника ври обратно, энергия электронов в р-по-лупроводнике повышается, а в л-полупроводнике снижается. [24]
Чтобы число основных носителей заряда значительно превышало число неосновных носителей, необходимо тщательно очищать полупроводниковый материал от посторонних примесей. [25]
Различнее концентрации основных носителей зарядов сказывается и на расположении p - n - перехода на границе полупроводниковых областей с различным типом электропроводности. [26]
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и не основные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Оно зависит также от материала полупроводника. [27]
Наряду с основными носителями заряда через эмиттерный и коллекторный переходы движутся и неосновные для каждой из областей транзистора носители. На работу транзистора существенно влияет движение неосновных носителей через коллекторный переход: дырок базы - в коллектор и электронов коллектора - в базу. Оно зависит также от материала полупроводника. [28]
Дырки называются основными носителями заряда, а электроны - неосновными. Полупроводник с акцепторной примесью носит название дырочного, или р-типа. [29]
Таким образом, основные носители заряда, покидающие эмиттер, частично теряются в переходе П1 и базе на рекомбинацию. Остальные достигают коллектора, рекомбинируя с электронами, поступающими в него из внешней цепи в виде электронного тока / к коллектора. Перевод дырок из эмиттерной области в область базы восполняется генерацией пар электрон-дырка в эмиттере и отводом электронов во внешнюю цепь в виде электронного тока / э эмиттера. [30]
Страницы: 1 2 3 4