Cтраница 4
Изменение соотношений концентрации основных носителей зарядов в р - и n - областях, конечно, не меняет сущности процессов, происходящих в переходе, но их характер становится иным. [46]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и га-областях различают симметричные и несимметричные p - n - переходы. Для несимметричных р-п-переходов справедливо неравенство рро п о ( или гап0 рро) - В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные р-га-переходы. [47]
Что понимают под основными носителями зарядов и какие носители называют неосновными. [48]
Для полупроводника р-типа основными носителями заряда служат дырки, а неосновными - электроны. [49]
В таком полупроводнике основными носителями заряда будут дырки, а неосновными - электроны. [50]
В электронном полупроводнике основными носителями заряда, как известно, являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. В результате этого на холодном конце будет накапливаться отрицательный заряд, на горячем оставаться нескомпенсированный положительный. [51]
Для полупроводника р-типа основными носителями заряда служат дырки, а неосновными - электроны. [52]
![]() |
Структура энергетических зон антимонида индия с учетом зависимости энергии от волнового вектора. [53] |
В полупроводнике р-типа основными носителями заряда являются дырки, неосновными - электроны. [54]
Что понимают под основными носителями зарядов и какие носители называют неосновными. [55]
![]() |
Увеличение проводимости полупроводников за счет примесей. а донорная примесь ( увеличена электронная проводимость. б акцепторная примесь ( увеличена дырочная проводимость. [56] |
В данном случае основными носителями зарядов являются дырки. [57]
В электронном полупроводнике основными носителями заряда являются электроны, поток их от горячего конца к холодному будет больше, чем от холодного к горячему. [58]