Основной носитель - заряд
Cтраница 3
 |
Параметры вольтамперной. [31] |
В туннелировании участвуют только основные носители заряда, поэтому инерционность приборов не связана с временами жизни неосновных носителей заряда. [32]
Они обусловлены компенсацией основных носителей заряда в слое ( доноров) акцепторами ( хром, кислород), диффундирующими из легированной этими примесями подложки. [34]
Итак, перемещение основных носителей заряда через p - n - переход в смежные области происходит за счет диффузии против поля p - n - перехода. [35]
Одновременно с перемещением основных носителей заряда через p - n - переход начинается перемещение неосновных носителей ( дырок р области п и электронов пр области р) в направлении поля р-и-перехода, которое для них является ускоряющим. [36]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и - областях различают симметричные и несимметричные р-ге-переходы. В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные p - n - переходы. [37]
Итак, перемещение основных носителей заряда через p - n - переход в смежные области происходит за счет диффузии против поля p - n - перехода. [38]
Одновременно с перемещением основных носителей заряда через p - n - переход начинается перемещение неосновных носителей в направлении поля p - n - перехода, которое для них является ускоряющим. [39]
По соотношению концентраций основных носителей заряда или соответствующих примесей в р - и n - областях различают симметричные и несимметричные p - n - переходы. В полупроводниковых приборах обычно существуют несимметричные p - n - переходы. [40]
По мере перехода основных носителей заряда это поле усиливается и возрастает разность потенциалов между полупроводниками, вследствие чего потоки основных носителей уменьшаются. Потоки неосновных носителей при этом не меняются, поскольку они пропорциональны концентрации неосновных носителей. Изменение разности потенциалов не влияет на концентрацию неосновных носителей, а следовательно, и на потоки неосновных носителей. Подобный процесс происходит до тех пор, пока потоки основных и неосновных носителей заряда не станут уравновешивать друг друга. [41]
В результате поток основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, резко уменьшается и уже при обратных напряжениях, больших - 0, 1 В, диффузионные потоки основных носителей можно считать пренебрежимо малыми. Неосновные носители заряда, находящиеся на расстояниях, больших Ln и Lp, рекомбинируют раньше, чем дойдут до границы обедненного слоя перехода, и в образовании обратного тока участвовать не будут. [42]
Чем определяется концентрация основных носителей заряда в примесных полупроводниках. [43]
При увеличении концентрации основных носителей заряда в полупроводнике скорость поверхностной рекомбинации сначала увеличивается, а затем остается постоянной и примерно равной скорости тепловой рекомбинации. Увеличение концентрации носителей заряда вблизи поверхности кремния приводит к постепенной нейтрализации ловушек поверхностной рекомбинации и соответственно к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации. [45]
Страницы: 1 2 3 4