Подвижной носитель - заряд
Cтраница 1
Подвижные носители заряда перемещаются вдоль поверхности полупроводника под действием продольного поля Ех, созданного напряжением стока. [1]
Подвижные носители заряда могут оказывать влияние на распределение градиента потенциала и потенциала в резком p - n - переходе вблизи его границ и вблизи металлургического контакта. [3]
Подвижные носители заряда, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации, называются неравновесными носителями заряда, а их концентрация п, р - неравновесной концентрацией. Избыток неравновесной концентрации носителей заряда Л, Ар называется избыточной концентрацией. [4]
Подвижные носители заряда могут оказывать влияние на распределение градиента потенциала и потенциала в резком p - n - переходе вблизи его границ и вблизи металлургического контакта. [6]
Подвижные носители заряда, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации, называют неравновесными, а их концентрации п и р - также неравновесными. [7]
Подвижные носители зарядов примесного полупроводника, находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации, называют равновесными носителями заряда, а их концентрации равновесной концентрацией я-электронов и р-дырок. [8]
Подвижными носителями заряда являются ионы серебра в междуузлиях ( Ag) и вакантные серебряные узлы ( Ag) ( фиг. В помещаемой ниже таблице приведены некоторые количественные данные. [9]
Подвижными носителями зарядов в любых проводниках являются свободные электроны или ионы. [10]
Какие подвижные носители зарядов имеются в чистом полупроводнике. [11]
Обедненный подвижными носителями заряда переходный слой, толщина которого всего порядка 1 мкм ( 10 - м), обладает очень большим сопротивлением по сравнению с другими частями кристалла; поэтому, когда кристалл с р-п-переходом включают в цепь, практически все подведенное к кристаллу напряжение сосредоточивается на р - п-переходе. [12]
Обедненный подвижными носителями заряда переходный слой, толщина которого всего порядка 1 мкм ( 10 - 6 м), обладает очень большим сопротивлением по сравнению с другими частями кристалла; поэтому, когда кристалл с р - - переходом включают в цепь, практически все подведенное к кристаллу напряжение сосредоточивается на р - п-переходе. [13]
Коэффициент диффузии подвижных носителей заряда в соответствии с формулами ( 1 - 23) равен количеству элементарных зарядов, диффундирующих через поперечное сечение 1 см2 за одну секунду при единичном градиенте концентрации подвижных носителей зарядов. [14]
Диффузионное движение подвижных носителей заряда ( электроны и дырки) называется диффузионным током г ДИф. Этот ток так же, как ток проводимости, может быть электронным или дырочным. [15]
Страницы: 1 2 3 4