Подвижной носитель - заряд
Cтраница 2
Хаотические флюктуации подвижных носителей заряда называются шумом и проявляются в виде напряжения на зажимах прибора как при отсутствии, так и при наличии сигнала. [16]
Зависимость концентрации подвижных носителей заряда в полупроводнике я-типа от температуры показана на рис. 1 - 9, а. В области низких температур на участке а - б полупроводник имеет только примесную проводимость. Концентрация собственных носителей заряда очень мала. [17]
 |
Распад молекулы НС в воде на ионы. [18] |
Итак, подвижными носителями зарядов в растворах являются только ионы. Существенно, что при диссоциации ионы водорода и всех металлов оказываются заряженными положительно. [19]
Итак, подвижными носителями зарядов в растворах являются только ионы. При диссоциации ионы водорода и всех металлов оказываются заряженными положительно. Ионы в растворе часто представляют собой группу из нескольких атомов. [20]
 |
Фазовая диаграмма магнитного полупроводника. [21] |
Взаимодействие между подвижными носителями заряда и малоподвижными d - электронами приводит к зависимости электрич. Тс при изменении концентрации носителей в ходе легирования, резкие скачки магпетосопротивле-кия, аномально большое отрицат. [22]
Проводимость определяется наличием подвижных носителей заряда. [23]
Электропроводность определяется наличием подвижных носителей заряда. Механизмы переноса заряда при различных агрегатных состояниях вещества сильно различаются. Однако величина переносимого заряда всегда равна целому числу элементарных электрических зарядов. [24]
 |
Вольт-ампер - Квантовый выход Г опре - ные характеристики [ /, деляется как количество ro l f ( U ] фото-электронно-дырочных пар на лиола. [25] |
Область, обедненная подвижными носителями заряда, расширяется, а ее электросопротивление возрастает. Через прибор в этом случае течет очень малый ток насыщения ID. Диод включен в запирающем направлении. [26]
Запирающий слой обеднен подвижными носителями зарядов, поэтому сопротивление этого слоя значительно выше сопротивления объемов полупроводника, лежащих за пределами слоя I. В действительности в слое I находится некоторое количество подвижных носителей заряда, так как электроны и дырки, обладая тепловой энергией, проникают в запирающий слой и отражаются полем § к. Кроме того, в запирающем слое могут протекать процессы генерации подвижных носителей заряда и их рекомбинации. Эти явления мы рассмотрим несколько позже, при обсуждении физических процессов в реальных приборах ( см. гл. Используя это идеализированное представление р-п перехода, определим основные физические величины. [27]
 |
Термостолбик для измерения интенсивности излучения. [28] |
В полупроводниках л-типа основными подвижными носителями заряда являются отрицательные электроны, а в полупроводниках р-типа - положительные дырки. В случае контакта двух полупроводников электроны и дырки получают возможность переходить из одного полупроводника в другой, и поэтому между полупроводниками, так же как и между металлами, возникает контактная разность потенциалов, а в тонком пограничном слое появляется контактное электрическое поле. [29]
В полупроводниках я-типа основными подвижными носителями заряда являются отрицательные электроны, а в полупроводниках р-тнпа - положительные дырки. В случае контакта двух полупроводников электроны и дырки получают возможность переходить из одного полупроводника в другой, и поэтому между полупроводниками, так же как и между металлами, возникает контактная разность потенциалов, а в тонком пограничном слое появляется контактное электрическое поле. [30]
Страницы: 1 2 3 4