Подвижной носитель - заряд
Cтраница 4
 |
Образование р-и-перехода.| Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле ( к p - n - переходу приложено обратное напряжение. [46] |
Данный переходный слой, лишенный подвижных носителей заряда и обладающий высоким электрическим сопротивлением, называют запирающим слоем. Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров. [47]
Низкоомная область является доминирующим источником подвижных носителей зарядов, и ток через диод при прямом включении р - n - перехода будет практически целиком определяться потоком ее основных носителей. Поэтому низкоомную область полупроводникового кристалла называют эмиттером. Различие в концентрации основных носителей зарядов сказывается и на расположении р - n - перехода на границе областей с различным типом электропроводности. [48]
Электроны, составляющие подавляющее большинство подвижных носителей заряда в полупроводниках га-типа, называют основными носителями заряда, а дырки - неосновными. [49]
Жидкий проводник, в котором подвижными носителями зарядов являются только ионы, нашеают электролитом. Пусть в ванну налит раствор серной кислоты в воде. [50]
В полупроводниках n - типа основными подвижными носителями заряда являются отрицательные электроны, а в полупроводниках р-типа - положительные дырки. В случае контакта двух полупроводников электроны и дырки получают возможность переходить из одного полупроводника в другой, и поэтому между полупроводниками, так же как и между металлами, возникает контактная разность потенциалов, а в тонком пограничном слое появляется контактное электрическое поле. [51]
 |
Потенциальный барьер в р-п-перехсде. [52] |
Пока между полупроводниками нет контакта, подвижные носители заряда в них - электроны в полупроводнике л-типа и дырки в полупроводнике р-типа распределены равномерно по всему объему полупроводника. [53]
Поскольку в обедненном слое практически отсутствуют подвижные носители заряда ( за исключением пар электрон-дырка в результате термогенерации), то проводимость канала снижается вследствие уменьшения его поперечного сечения. [54]
Если в результате внешнего воздействия концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике окажется меньше термодинамически равновесной, то тепловые генерационные процессы возвращают систему в состояние нового термодинамического равновесия. Эти процессы могут носить как монополярный, так и биполярный характер и определяться как поверхностными, так и объемными генерационными механизмами. [55]
Страницы: 1 2 3 4