Подвижной носитель - заряд
Cтраница 3
Из области же перехода подвижные носители заряда выталкиваются сильным электрическим полем, концентрация их по мере продвижения в глубь перехода резко падает в соответствии с выражением (2.34) до очень малых значений. По этой причине p - rt - переход часто называют обедненным слоем. [31]
При t0 инжектируемые переходами подвижные носители заряда перемещаются со временем в глубь n - базы диода. Концентрации электронов и дырок в базе диода оказываются в этом случае переменными как по координате, так и во времени. Их называют нестационарными неравновесными концентрациями и обозначают через п ( х, t) и р ( х, t) соответственно. [32]
Это означает, что подвижные носители заряда образуются лишь в результате нарушения порядка идеальной решетки. Изменение положения дефектов как носителей зарядов также требует энергии ( Wz), которая во всех случаях должна черпаться из теплового движения решетки. [33]
Поле образуется вследствие увлечения подвижных носителей заряда акустич. [34]
Эта емкость обусловлена накоплением подвижных носителей заряда в и и / - областях. При прямом напряжении основные носители заряда в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в и - и / - областях. [35]
Происходит резкое увеличение числа подвижных носителей заряда и, следовательно, удельной проводимости полупроводника. Описанное явление называется лавинным пробоем. Свойства полупроводника восстанавливаются при уменьшении напряженности электрического поля. Этим лавинный пробой отличается от теплового пробоя. Последний наступает за лавинным пробоем при дальнейшем увеличении напряженности электрического поля и вызывает разрушение полупроводника. [36]
Эта емкость обусловлена накоплением подвижных носителей заряда в и и / - областях. При прямом напряжении основные носители заряда в большом количестве диффундируют через пониженный потенциальный барьер и, не успев рекомбинировать, накапливаются в п - и / - областях. [37]
Дырки и электроны являются подвижными носителями зарядов. Принцип действия полупроводниковых вентилей основан на односторонней проводимости слоя на границе двух полупроводников с различными типами электропроводимости. [38]
Отметим еще, что подвижными носителями зарядов в твердых металлах являются только электроны. Следовательно, при электризации металлических тел с одного тела на другое переходят только электроны. Теория, объясняющая электрические явления перемещением электронов, называется электронной теорией. [39]
 |
Схематическое изображение ковалентной связи атомов веществ, принадлежащих к IV группе таблицы Менделеева. [40] |
Рассмотрим подробнее, как образуются подвижные носители зарядов в чистых полупроводниках на примере германия и кремния. У атомов этих элементов на внешней оболочке имеется по четыре валентных электрона. [41]
Рассмотрим подробнее, как образуются подвижные носители зарядов в чистых полупроводниках на примере германия и кремния, У атомов этих элементов на внешней оболочке имеется по четыре валентных электрона. [42]
Примесные центры, способные захватывать подвижные носители заряда и способствовать таким образом их рекомбинации, называют рекомбинационными ловушками. [43]
Примесные центры, способные захватывать подвижные носители заряда и способствовать таким образом их рекомбинации, называют рекомбинационными ловушками. [44]
Первое - это изменение концентрации подвижных носителей заряда вблизи поверхности полупроводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4