Неравновесный носитель - заряд
Cтраница 1
 |
Спектр фотогальванического эффекта в теллуриде кадмия ( а. энергетическая диаграмма варизонной структуры ( б. [1] |
Неравновесные носители заряда могут проявить себя и в том случае, если их генерация происходит от области полей Е на расстояниях, меньших диффузионной длины. В этом случае неравновесные носители заряда, диффундируя, попадут в область объемного поля, которое приведет к их разделению. [2]
Каждый неравновесный носитель заряда, например электрон, в процессе теплового движения имеет определенную вероятность встретиться с дыркой и прорекомбинировать с ней. Wnt CniPt ( vni) (4.7), где Cnt - некоторый коэффициент, определяющий вероятность рекомбинации одного электрона при наличии одной дырки и единичной скорости их относительного движения. [4]
Каждый неравновесный носитель заряда, например электрон, в процессе теплового движения по зоне проводимости имеет определенную вероятность встретиться с дыркой и прорекомбиниро-вать с ней. [5]
Каждый неравновесный носитель заряда, например электрон, в процессе теплового движения имеет определенную вероятность встретиться с дыркой и прорекомбинировать с ней. Wnt CniPt ( vni) (4.7), где Cnt - некоторый коэффициент, определяющий вероятность рекомбинации одного электрона при наличии одной дырки и единичной скорости их относительного движения. [7]
Образование неравновесных носителей заряда может происходить, например, при освещении полупроводника. Кванты света с энергией ftvl 5 - 3 эВ при воздействии на полупроводник вызывают появление в нем дополнительных электронно-дырочных пар. В полупроводниковых диодах и транзисторах неравновесные носители заряда образуются, как увидим далее, при прохождении электрического тока. [8]
Концентрация неравновесных носителей заряда уменьшается по экспоненциальному закону. За время, равное времени жизни носителей, концентрация неравновесных носителей уменьшится в е раз. [9]
Концентрация неравновесных носителей заряда после прекращения внешнего воздействия ( например, освещения) начинает быстро спадать, приближаясь к равновесному значению. При этом исчезновение избыточных носителей заряда обусловлено процессами рекомбинации. [10]
Подвижности неравновесных носителей заряда считаются равными подвижностям равновесных носителей заряда. [11]
Распределение неравновесных носителей заряда в образце создается в результате наложения нескольких процессов: световой генерации, диффузии, объемной и поверхностной рекомбинации. Очевидно, чтобы найти фотопроводимость, необходимо определить функцию Ар ( х) при учете всех перечисленных процессов. [12]
 |
Характеристики процессов установления обратного тока ( а и падения прямого напряжения ( б у диода, обусловленные эффектом накопления неосновных носителей заряда в объеме полупроводника. [13] |
Накопление неравновесных носителей заряда при прохождении прямого тока и конечное время их рассасывания после выключения прямого тока сказываются на импульсных свойствах диодов в схемах переключения. [14]
Параметры неравновесных носителей заряда характеризуют электрофизические свойства полупроводникового материала и во многом определяют возможности его использования для изготовления полупроводниковых приборов. Кроме того, измерение этих параметров является важным направлением исследования полупроводникового материала. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5