Неравновесный носитель - заряд
Cтраница 2
Диффузия неравновесных носителей заряда противоположных знаков носит название биполярной. [16]
К параметрам неравновесных носителей заряда относятся время жизни, амбиполярная дрейфовая подвижность, амбиполярный коэффициент диффузии, диффузионная длина и скорость поверхностной рекомбинации. [17]
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от УЭС слитков. [18]
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от номинального УЭС слитка и для электронного типа электрической проводимости составляет ( в икс: для номинального УЭС от 0 01 до 0 5 Ом - м - не менее 400ри; св. [19]
Время жизни неравновесных носителей заряда еависит от УЭС слитков. [20]
Избыточные концентрации неравновесных носителей заряда, накопленных в базовых слоях под воздействием этих токов, чрезвычайно малы. Из-за технологической шунтировки переходов / 3 избыточные концепт - грации электронов и дырок в базовых слоях рг тиристоров Т и Г2 можно принять равными нулю. В диапазоне температур вплоть до максимально допустимой температуры структур тиристоров обычно выполняется неравенство п, СМг. Поэтому избыточных зарядов электронов и дырок, накопленных в базах тиристоров до момента подачи импульса тока управляющего электрода, недостаточно для компенсации зарядов ионизированных атомов легирующих примесей в областях объемных зарядов их коллекторных переходов. [21]
Время жизни неравновесных носителей заряда определяется процессами излучательной и безызлучательной рекомбинации и как параметр полупроводникового материала характеризуется наибольшей чувствительностью к примесям и дефектам структуры, а также к особенностям технологии получения и термообработки полупроводникового материала. [22]
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от температуры полупроводника. При этом первый этап рекомбинации ( захват дырки рекомби-национной ловушкой) происходит быстро, и время жизни оказывается небольшим. С повышением температуры уровень Ферми смещается вниз и находится вблизи энергетических уровней рекомби-национных ловушек. Поэтому с повышением температуры время жизни растет. [23]
Описанная генерация неравновесных носителей заряда под воздействием света, однако, не используется в микроэлектронике. Мы коротко рассмотрели ее как пример самого простого механизма образования неравновесных носителей заряда. Для микроэлектроники значение имеет другой механизм, о котором речь пойдет ниже. [24]
Процесс исчезновения неравновесных носителей заряда в рассматриваемом случае состоит из двух последовательных стадий: диффузии носителей из объема к поверхности и их рекомбинации на поверхности кристалла. [25]
 |
Пояснение температурной зависимости времени жизни. [26] |
Время жизни неравновесных носителей заряда зависит от температуры полупроводника. При этом первый этап рекомбинации ( захват дырки рекомбинационной ловушкой) происходит быстро и время жизни оказывается небольшим. С повышением температуры уровень Ферми смещается вниз и находится вблизи энергетических уровней рекомбинационных ловушек. Поэтому с повышением температуры время жизни растет. [27]
Рассмотрим диффузию неравновесных носителей заряда. Пусть в момент времени 0 на плоской поверхности л: 0 полубесконечного образца в виде узкой полосы длиной / и шириной w с помощью мгновенного источника генерируются носители заряда. Для нахождения распределения неравновесных носителей заряда нужно решить уравнение непрерывности, содержащее диффузионный и рекомбинационный члены. [28]
 |
Схгма установки для измерения диффузионной длины неосновных носителей заряда. [29] |
Схема регистрации неравновесных носителей заряда состоит из металлического зонда - коллектора К, к которому приложено напряжение в обратном направлении, селективного усилителя У и вольтметра V. Вблизи коллектора концентрация 1еосновных носителей заряда возрастает за счет диффузии неравновесных носителей заряда, вызывая приращение тока через коллектор, пропорциональное увеличение концентрации неосновных носителей. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5