Неравновесный носитель - заряд
Cтраница 4
 |
Зависимость тока управления, необходимого для выключения тиристора, от общего тока через тиристор ( а и структура трехэлектрод-ного тиристора ( б. [46] |
Для ускорения процесса рассасывания неравновесных носителей заряда в базах необходимо понизить потенциальный барьер коллекторного перехода. Однако коллекторный переход при прохождении тока через открытый тиристор до переключения уже был включен в прямом направлении из-за накопленных неравновесных носителей заряда в базах и, следовательно, имел низкое сопро - тивление. Поэтому на долю коллекторного перехода при переключении тиристора на обратное напряжение приходится малая часть всего внешнего напряжения и, значит, практически не происходит понижения высоты потенциального барьера этого перехода. Кроме того, наличие барьерной емкости также препятствует быстрому изменению напряжения на р-п-переходе. [47]
 |
Зависимость времени выключения тиристора От величины обратного напряжения.| Зависимость тока управления, необходимого для. [48] |
Для ускорения процесса рассасывания неравновесных носителей заряда в базах необходимо понизить потенциальный барьер коллекторного перехода. Однако коллекторный переход при прохождении тока через открытый тиристор до переключения уже был включен в прямом направлении из-за накопленных неравновесных носителей заряда в базах и, следовательно, имел низкое сопротивление. Поэтому на долю коллекторного перехода при переключении тиристора на обратное напряжение приходится малая часть всего внешнего напряжения и, значит-практически не происходит понижения высоты потенциального барьера этого перехода. Кроме того, наличие барьерной емкости также препятствует быстрому изменению напряжения на р - / г-переходе. [49]
Очевидно, что число неравновесных носителей заряда, возбуждаемых светом ( или каким-либо другим способом), не может расти до бесконечности. [50]
 |
Структура фоторе - [ IMAGE ] Фоторезистор в. [51] |
Так как скорость генерации неравновесных носителей заряда остается постоянной при постоянном световом потоке, то скорость рекомбинации быстро нарастает и достигает скорости процесса генерации носителей. В результате устанавливается статическое состояние для неравновесной концентрации носителей. [52]
Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда в германий вводятся атомы золота. После получения диффузионной структуры кристаллы припаиваются к держателю 4 оловянным припоем с присадкой сурьмы. Со свободной стороны кристалла стравливается и-слой 3 и для получения хорошего омического контакта в обнаженную р-область вплавляются индиевые шарики 1 диаметром около 300 мк. Меза-структура получается глубоким химическим травлением кристалла с омическим контактом в смеси пергид-роли со щелочью. При этом стравливаются все диффузионные слои на незащищенной части поверхности кристалла. [53]
 |
Осциллограмма тока коллектора при коротком инжектирующем импульсе эмиттерного тока.| Схена установки для измерения дрейфовой поцвижно-сти неосновных носителей заряда. [54] |
Рассмотрим возможные способы регистрации неравновесных носителей заряда, дрейфующих в электрическом поле. Предположим, что в некоторой области образца в момент времени / 0 в результате инжекции возникли неравновесные носители заряда: электроны An и дырки Ар. [55]
Каким параметром характеризуют рекомбинацию неравновесных носителей заряда. [56]
Что называется временем жизни неравновесных носителей заряда. [57]
Предполагалось, что время жизни неравновесных носителей заряда велико по сравнению со средним временем между соударениями и носители не вырождены. [59]
Этот процесс и называется инжекцией неравновесных носителей заряда. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5