Неравновесный носитель - заряд
Cтраница 3
 |
Пояснение темпера ния судя ПО положению уровня Фер-турной зависимости времени м намного больше 50 %. При ЭТОМ. [31] |
Бремя жизни неравновесных носителей заряда зависит от температуры полупроводника. [32]
Что называется неравновесными носителями заряда. [33]
Их называют обычно неравновесными носителями заряда. Рассмотрим генерацию неравновесных носителей заряда сначала на простом примере. Если воздействовать светом определенной длины волны на полупроводник, то электрон, поглотив один фотон, будет возбужден из валентной зоны в зону проводимости, а в валентной зоне останется одна дырка. Электропроводность полупроводника увеличивается, но лишь на короткое время, так как продолжительность жизни неравновесных носителей заряда ограничена. [35]
В процессе диффузии неравновесные носители заряда рекомби-нируют. [36]
Объемным временем жизни неравновесных носителей заряда называют среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника. [37]
Если процесс генерации неравновесных носителей заряда происходит не во всем объеме, а только в какой-то части полупроводника, то там образуется локальная область с повышенной концентрацией носителей заряда, что вызывает появление диффузионного тока. [38]
Объемное время жизни неравновесных носителей заряда в германии и, кремнии, вычисленное по (2.10), может составлять широкий диапазон ( от 10 2 до 10 8 с) и зависит от количества и типа примесей, а также от состояния и чистоты поверхности. Последнее обстоятельство объясняется тем, что на поверхности полупроводника всегда имеются различные дефекты структуры атомной решетки, а также пленки окислов и молекулы адсорбированных газов, которые могут образовать большое число локальных уровней, вызывающих интенсивный процесс рекомбинации электронно-дырочных пар. [39]
Как уже отмечалось, неравновесные носители заряда проходят путь от эмиттера к коллектору путем диффузии. Средние скорости теплового движения, которыми обладают отдельные носители заряда, будут, очевидно, отличаться друг от друга. Поэтому группа зарядов, одновременно вошедших в область базы, достигает коллекторного перехода в разное время. Одним из наиболее существенных факторов, определяющих частотные свойства транзистора, является конечное время диффузионного распространения носителей заряда ( электронов и дырок) на расстоянии, отделяющем эмиттер от коллектора. [40]
В возбужденном полупроводнике имеются неравновесные носители заряда - электроны и дырки. К излучению света приводят их рекомбинация. Рассмотрим механизмы излучательной рекомбинации более подробно. [41]
Если в полупроводниках создать неравновесные носители заряда, то в них наблюдается целый ряд новых физических явлений. [42]
За время своего существования неравновесные носители зарядов под действием приложенного поля с напряженностью Е успевают пройти расстояние / ф, называемое длиной затягивания неравновесных носителей. Этот эффект используется в фоторезисторах. [43]
Для снижения времени жизни неравновесных носителей заряда осуществляется диффузия золота в кристалл полупроводника, создающая уровни ловушек. [44]
При неодномерных процессах концентрации неравновесных носителей заряда по толщине базовых слоев в один и тот же момент времени распределяются по-разному в различных участках тиристора. Для изучения неодномерных процессов используется неодномерная модель тиристора. Изменение концентраций неравновесных носителей заряда исследуется в этом случае не только вдоль координатной оси, нормальной к плоскостям р-п переходов, но и вдоль координатных осей, параллельных плоскостям р-п переходов тиристора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5