Cтраница 1
Верхняя обкладка конденсатора С2 соединена с базой транзистора через первичную обмотку трансформатора. [1]
Если верхняя обкладка конденсатора, включенного по рис. 82, заряжается положительно, то нижняя обкладка зарядится отрицательно; из соединительного провода на нее придут электроны, притягивающиеся положительным зарядом верхней обкладки. [2]
Для верхней обкладки конденсатора на основе TazOj используют сплавы на основе золота, алюминия и меди. Толщина верхних обкладок составляет 0 5 - 0 6 мкм. При использовании алюминиевых обкладок нужно иметь в виду, что AI быстро диффундирует в пятиокись тантала при нагревании. [3]
![]() |
Диэлектрические пасты для толстопленочных конденсаторов. [4] |
К верхней обкладке конденсатора предъявляют те же требования, что и к нижней, за исключением толщины, которая может быть больше, чем толщина нижней обкладки. [5]
Затем наносятся верхняя обкладка конденсатора ( 6) и золотые контактные площадки, к которым припаивается бескорпусный транзистор. [6]
Для получения верхних обкладок конденсаторов, соединения их со схемой и получения монтажных площадок для внешних включений еще раз осаждается алюминиевая пленка. [7]
Отрицательный потенциал с верхней обкладки конденсаторов С7, С8 прикладывается к сетке лампы Л2 - 2, что вызывает уменьшение проходящего через нее тока. Величина изменения тока фиксируется включенным в анодную цепь лампы миллиамперметром, шкала которого при помощи калиброванных импульсов програду-нрована в микросекундах. [8]
Отрицательный потенциал с верхней обкладки конденсаторов С7, С8 прикладывается к сетке лампы Л2 - 2, что вызывает уменьшение проходящего через нее тока. Величина изменения тока фиксируется включенным в анодную цепь лампы миллиамперметром, шкала которого при помощи калиброванных импульсов програду-ирована в микросекундах. [9]
При замкнутом контакте К верхняя обкладка конденсатора С и сетка лампы имеют отрицательный потенциал. [10]
![]() |
Распределение потенциалов в цепи конденсатора связи. [11] |
Нельзя забывать, что верхняя обкладка конденсатора находится под полным фазным напряжением линии электропередачи. Введенный в работу конденсатор связи является элементом цепи между одной из фаз линии электропередачи и землей. [12]
![]() |
Конструкция пленочного конденсатора. [13] |
Емкость конденсатора прямо пропорциональна площади верхней обкладки конденсатора и диэлектрической проницаемости диэлектрика и обратно пропорциональна толщине диэлектрика. [14]
Благодаря вентильному действию диода на верхней обкладке конденсатора Ct образуется положительный заряд, который после нескольких периодов настолько возрастает, что рабочая точка диода скачкообразно переходит через максимум характеристики и только после разряда опять возвращается в первоначальное положение. [15]