Верхняя обкладка - конденсатор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Хорошо не просто там, где нас нет, а где нас никогда и не было! Законы Мерфи (еще...)

Верхняя обкладка - конденсатор

Cтраница 4


Предположим, что в результате произведенной ранее записи на верхней обкладке конденсатора имеется некоторый отрицательный потенциал, а диоды Дг и Д2 заперты. В момент времени импульсы Ua и l / б откроют оба диода и конденсатор начнет разряжаться по цепи: верхняя обкладка конденсатора - параллельная цепь, каждая ветвь которой включает один диод, одну вторичную обмотку трансформатора и источник смещения - земля - нагрузочное сопротивление R - нижняя обкладка конденсатора.  [46]

47 Схема феррорезонансного сдвигающего регистра. [47]

Здесь в каждом разряде n - разрядного регистра имеется последовательная цепь, состоящая из линейного конденсатора Сп и нелинейной индуктивности Ln. В этой цепи при насыщении сердечника происходит феррорезонанс напряжений, и возникающее при этом большое напряжение на индуктивности Ln выпрямляется диодом Дл1 и создает на верхней обкладке конденсатора Сл1 в точке Ап большой положительный потенциал Е относительно земли.  [48]

49 Конструкции пленочных конденсаторов с обкладками прямоугольной формы ( а в виде пересекающихся проводников ( б и гребенки ( в. [49]

Для ее получения на подложку 1 последовательно наносят три слоя: проводящий 2, выполняющий роль нижней обкладки, слой диэлектрика 3 и проводящий слой 4, выполняющий роль верхней обкладки конденсатора.  [50]

51 Принципиальные схемы управления двигателями передвижения машин напольного транспорта с помощью тиристоров. [51]

Работа схемы ( рис. 149, а) начинается при открывании тиристора ВКУ г. При этом плюс батареи подается через тиристор ВКУ % на нижнюю обкладку конденсатора С, а верхняя обкладка конденсатора через электродвигатель Д присоединяется к минусу аккумуляторной батареи. В этот промежуток времени происходит заряд конденсатора С.  [52]

53 Тиратронный счетчик импульсов. [53]

До начала счета ячейки должны быть установлены в состояние О, которому соответствует зажигание правых тиратронов каждой ячейки. Для этого кратковременным нажатием кнопки сброса Кнз замыкают конденсатор Са на резистор Rio, причем прекращается подготовительный разряд тиратронов ( кроме Л), а ранее заряженная положительно верхняя обкладка Сз ( и верхние обкладки соответствующих конденсаторов других ячеек) соединяется с минусовой шиной, вследствие чего потенциал катода Л3 становится отрицательным по отношению к минусовой шине.  [54]

55 Плата гибридной микросхемы. [55]

На рис. 9.6, а показан общий вид платы гибридной интегральной микросхемы, представляющей собой схему транзисторного усилителя. Яз из высокоомного материала; затем через другой трафарет распылением металла, имеющего высокую электропроводность, наносятся нижняя обкладка О конденсатора С, межсоединения и контактные площадки 1 - 5, затем через третий трафарет наносится пленка диэлектрика конденсатора Д, а через четвертый трафарет последний слой - верхняя обкладка конденсатора 0 - 2 - Транзистор VT приклеивается к подложке и проволочными выводами присоединяется к соответствующим контактным площадкам.  [56]

Электрон с зарядом е и массой те влетает в точке О, принятой за начало координат, в горизонтально расположенный плоский конденсатор с напряженностью электрического поля Е параллельно обкладкам конденсатора. Скорость электрона в точке О равна VQ. Верхняя обкладка конденсатора заряжена положительно, нижняя - отрицательно. Получить уравнение траектории электрона, если ось X направлена из точки О параллельно обкладкам конденсатора, а ось Y из точки О перпендикулярно к ним.  [57]

58 Варианты ЯС-структур, образованных двумя сопротивлениями.| Однородные структуры с распределенными постоянными. [58]

С-структуры с распределенными параметрами являются принципиально новыми элементами электрических схем. Интеграция функций конденсатора и резистора происходит в ЙС-структурах за счет замены одной или обеих обкладок конденсатора пленочными резисторами. Если верхняя обкладка конденсатора выполнена в виде резистора с сопротивлением, в N раз отличающимся от сопротивления нижнего резистора, то такая структура обозначается как Я-С - Л - структура.  [59]

60 Схема фазового детектора на четырех диодах ( а и диаграммы напряжений в схеме ( б. [60]



Страницы:      1    2    3    4    5