Верхняя обкладка - конденсатор
Cтраница 3
 |
Структура ( а и эквива - Если межДУ полупроводником И. [31] |
Диэлектриком МДП-конденсатора, формируемого на кремниевой подложке, обычно служит окисный слой SiOj, толщина которого регулируется травлением. Верхней обкладкой конденсатора является металлическая ( чаще всего алюминиевая) пленка электрода, а нижней - сильно легированная область полупроводника, имеющая омический контакт с выводом. [32]
Диэлектриком МДП-конденсатора, формируемого на кремниевой подложке, обычно служит оксидный слой SiCb, толщина которого контролируется режимом наращивания или травления. Верхней обкладкой конденсатора является металлическая ( чаще алюминиевая) пленка электрода, а нижней - сильно легированная область полупроводника, имеющая омический контакт с выводом. [33]
Если площадь обкладки конденсатора получается менее 1 мма, то рекомендуется либо перейти на меньшее значение удельной емкости, либо проектировать конденсатор требуемой емкости в виде системы последовательно соединенных конденсаторов. Если суммарная площадь верхних обкладок конденсаторов, располагаемых на одной плате, превышает 200 мм2, целесообразно перейти на большее значение удельной емкости. Конденсаторы, у которых суммарная площадь верхних обкладок меньше 10 мм2, рекомендуется проектировать в виде двух пересекающихся проводящих полосок с диэлектриком, располагаемым в месте пересечения, что позволяет исключить ошибки, обусловленные погрешностью установки масок при вакуумном напылении. [34]
Конденсатор С6, разряжающийся через сопротивление Rn, включен фактически между сеткой и анодом Л2 так как коэффициенты передачи катодных повторителей Л а и Лзч близки к единице. При разряде потенциал верхней обкладки конденсатора Се возрастает примерно в К. [35]
 |
Схема многоступенчатого импульсного генератора. [36] |
Пробой в разряднике Р может быть вызван либо уменьшением его межэлектродного расстояния, либо введением в промежуток Р третьего ( поджигающего) электрода, на который посылается импульс напряжения от посторонней схемы. После окончания процесса заряда верхние обкладки конденсаторов С имеют потенциал - И, а нижние обкладки имеют потенциал земли, равный нулю. После пробоя Р точка 2 на некоторое время заземляется, а потенциал точки 3 быстро возрастает до L / i. Если время снижения напряжения на C до нуля больше времени запаздывания разряда в промежутке PZ, то промежуток Р2 пробивается. [37]
При приеме черно-белого изображения режекторный фильтр отключается из-за того, что на базах транзисторов VT5 и VT6 и на выводе 8ИС Di в этот период напряжение равно нулю. Транзисторы закрыты, и верхние обкладки конденсаторов отключены от корпуса. [38]
На рис. 4.56 показан принцип построения емкостного накопителя информации, состоящего из двух слоев изоляционного материала с нанесенным рисунком проводников. Сплошными линиями изображен рисунок верхних обкладок конденсаторов и выходных шин связи. Этот рисунок наносится на отдельные карты, в которых при перфорации могут удаляться определенные обкладки конденсаторов. Перфорация нарушает связь между адресной и выходной шиной, что соответствует кодированию О информации. Замена информации в данном накопителе производится перфорацией новой карты и ее монтажом в накопитель. [39]
Напряжение на нагрузочном сопротивлении детектора экспоненциально спадает, стремясь к нулю. Одновременно возрастает анодный ток лампы и увеличивается потенциал верхней обкладки конденсатора Сф. Частота колебаний клистрона при этом падает. [40]
 |
В началь - [ IMAGE ] Заряды.| Механическая аналогия для электрической цепи, показанной на 162. [41] |
После замыкания ключа в цепи возникают колебания: верхний конденсатор начинает разряжаться через катушку, заряжая при этом нижний; затем все происходит в обратном направлении. Пусть, например, при t О положительно заряжена верхняя обкладка конденсатора. [42]
Рассмотрим работу генератора на примере. Предположим, что в контуре возникли колебания с амплитудой 10 в ив данный момент на верхней обкладке конденсатора С имеется отрицательный заряд. Постоянные напряжения анода, экранирующей сетки и защитной сетки равны соответственно 100, 200 и 0 а. Переменное напряжение-10 в снизит напряжение экранирующей сетки с 200 до 190 в, и ток экранирующей сетки должен немного уменьшиться. [43]
Осаждение схемы производят в несколько этапов. Третий этап - нанесение диэлектрической пленки одноокиси кремния на нижние обкладки конденсаторов, четвертый - нанесение верхних обкладок конденсаторов и оставшихся соединительных проводников. В соответствующих точках схемы наносят толстые пленки меди, которые служат для подключения к схеме транзисторов и источника питания. [44]
Рассмотрим работу генератора на следующем примере. Предположим, что в контуре возникли колебания с амплитудой 10 в и в данный момент на верхней обкладке конденсатора С имеется отрицательный заряд. Постоянные напряжения на аноде, экранирующей сетке и защитной сетке пусть равны соответственно 100, 200 и 0 в. Переменное напряжение - 10 в снизит напряжение иа экранирующей сетке с 200 в до 190 в и в результате этого ток экранирующей сетки должен немного уменьшиться. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5