Верхняя обкладка - конденсатор
Cтраница 2
Но если при положительной полуволне напряжения на сетке верхняя обкладка конденсатора С заряжена положительно, то электроны анодного тока, попав на эту обкладку, уменьшают ее заряд. Колебания в контуре не будут поддерживаться и затухнут еще бцстрее. Чтобы этого не получилось, необходимо правильно включить концы катушек. Если незатухающие колебания не возбуждаются из-за неверного включения, то достаточно переключить концы у одной из катушек или, не переключая концов, повернуть одну катушку на 180 по отношению к другой. [16]
Но если при положительной полуволне напряжения сетки на верхней обкладке конденсатора С растет положительный заряд, то электроны анодного тока уменьшают его. Колебания в контуре не будут поддерживаться и затухнут еще быстрее. Чтобы этого не получилось, необходимо правильно включить концы катушек. Если незатухающие колебания не возбуждаются из-за FieBepHoro включения, то достаточно переключить концы у одной из катушек или повернуть одну катушку на 180 по отношению к другой. [17]
Предположим, что в результате произведенной ранее записи на верхней обкладке конденсатора имеется некоторый отрицательный потенциал, а диоды Дг и Д2 заперты. В момент времени импульсы Ua и l / б откроют оба диода и конденсатор начнет разряжаться по цепи: верхняя обкладка конденсатора - параллельная цепь, каждая ветвь которой включает один диод, одну вторичную обмотку трансформатора и источник смещения - земля - нагрузочное сопротивление R - нижняя обкладка конденсатора. [18]
Установка переключателя в позицию 2 ( рис. 3.29) вызывает перемещение электронов с верхней обкладки конденсатора через источник на нижнюю. Во внешней по отношению к источнику постоянного тока цепи поток электронов направлен от отрицательного полюса источника к положительному. [19]
После полного открытия тиристора и появления на катоде потенциала, превышающего потенциал на верхней обкладке конденсатора, в цепи управления возникает ток обратного направления, являющийся током выключения. Сопротивление Ra, введенное в схему, стабилизирует режим работы цепи управления. [20]
Практически во всех случаях на конденсаторе С будет сохраняться небольшое положительное напряжение vc ( верхняя обкладка конденсатора на схеме фиг. [21]
Появляющееся при открывании транзистора 6VT11 напряжение на его коллекторе через диод 6VDIO передается на верхнюю обкладку конденсатора 6С19, который начинает заряжаться. При этом падение напряжения на резисторах 6 ( R5I, R52) от тока заряда конденсатора 6CI9 поддерживает транзистор 6VTI2 в закрытом состоянии. После окончания заряда конденсатора 6С19 ток заряда прекращается, 6VT12 снова открывается и повышает потенциал базы 6VT11, в результате чего он закрывается и положительное напряжение на его коллекторе уменьшается до нуля. Этот импульс через контакты Х1 ( АЗ) / 8 и Х4 ( А2) / 10 подается в модуль цветности А2 на контакт 3 микросборки 2D3 для обеспечения цветовой синхронизации и через резистор 2R1 - на базу транзистора 2VT1 схемы гашения обратного хода луча строчной и кадровой разверток. [22]
Чем ближе момент открывания коммутатора к началу третьей четверти второго периода, тем больше напряжение на верхней обкладке конденсатора С8, который с началом второй фазы разряжается по цепи VD7C7VT7VD9, Однако благодаря кратковременности его разрядки и инерционности цепи импульс тока через коммутатор не превышает 1 А. Даже при возникновении опасных значений тока транзистор выйдет из режима насыщения, заданного резистором R19, и ток будет ограничен. [23]
 |
Схемы динатронного ( а транзитронного ( б генераторов. [24] |
В этом случае напряжение на аноде уменьшится, но анодный ток возрастет и создаст приток некоторого количества электронов на верхнюю обкладку конденсатора. [25]
При опрокидывании триггера на его инверсном выходе появляется нулевой потенциал ( земля) и конденсатор С1 разряжается по цепи: верхняя обкладка конденсатора С1, резистор R1, выход триггера, земля, источник питания 3 В, резистор R2, нижняя обкладка конденсатора. Время разряда конденсатора С1 составляет около 280 мс. Образовавшийся импульс поступает с коллектора транзистора Т 1 на вход усилительного каскада, собранного на транзисторе Т2, усиливается и подается на выход формирователя. Транзистор ТЗ, работающий в противофазе с транзистором Т2, обеспечивает шунтирование сигналов положительной полярности, попадающих на выход данного формирователя с выходов остальных через элементы схем других функциональных узлов. Диод Д2 я конденсатор С4 предназначены для улучшения формы импульсов. Резисторы R4, R5 и конденсаторы С2, СЗ образуют ускоряющие цепочки RC в базовых цепях транзисторов Т2 и ТЗ. Питание формирователя опорных частот осуществляется стабилизированными напряжениями: 6 3; - 6 3 и 3 В. [26]
В качестве примера приведем типовую последовательность создания слоев пассивной части толстопленочной гибридной микросхемы: печать, сушка и вжигание проводников и нижних обкладок конденсаторов; печать и сушка диэлектрика; печать и сушка верхних обкладок конденсаторов; совместное вжигание диэлектрика и верхних обкладок; печать, сушка и вжигание резисторов; подгонка параметров элементов; нанесение защитного покрытия и облуживание контактных площадок. [27]
 |
Принцип построения ГИС. [28] |
ГИС; б - резистор толстоплеиочной ГИС; / - подложка: 2 - резистор; 3 - контактная площадка; 4 - навесной бескорпусный диод; 5 - вывод диода; 6 - нижняя обкладка конденсатора; 7 - диэлектрик; & - верхняя обкладка конденсатора; У - защитный слой. [29]
Диэлектрические прокладки конденсаторов изготовляют нанесением одноокиси кремния, которую ( с использованием соответствующих масок) наносят также поверх пленочных резисторов как дополнительный защитный слой перед покрытием смолой или лаком. Верхние обкладки конденсаторов и оставшиеся соединительные проводники из хромоникелевого сплава осаждают одновременно через соответствующую маску. Процесс заканчивается нанесением толстого медного слоя на выводные контакты, к которым припаивают проволочные выводы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5