Область - кристалл
Cтраница 1
 |
Распределение нормальных ( в и касательных ( б напряжений в окрестностях краевой дислокации ( а. [1] |
Область кристалла, непосредственно прилегающая к дислокации, называется ядром дислокации. В этой области смещения атомов и напряжения, возникающие в металле вследствие наличия дислокации, не подчиняются закону Гука. На рис. 12.37 показано распределение напряжений в окрестностях краевой дислокации. Поле напряжений от дислокации за пределами ядра имеет гиперболический характер, который изменяется по мере приближения к ядру. [2]
Перегрев областей кристалла тиристора при его работе в импульсном режиме зависит от скорости нарастания тока анода при включении. [3]
Часто в области кристалла, имеющей одно из ориентационных состояний, могут существовать тонкие клинообразные домены двух других состояний, образованных как 60 -ными, так и 120 -ными стенками, Иногда в кристаллах РЬз ( Р04) 2 встречаются зигзагообразные доменные границы, которые можно представить как совокупность 60 -или 120 -ных клиньев и которые обычно возникают при наличии локализованных неоднородных механических напряжений. [4]
 |
Конструкция многоэлементного светодио-да-цифрового индикатора на основе монокристалла карбида кремния. [5] |
Исходная - область кристалла из-за большой концентрации азота оказывается относительно низкоомной. Перекомпенсированная р-область из-за малой толщины и малой степени перекомпенсации оказывается относительно высокоомной. Поэтому невыпрямляющий контакт к ней создают по всей площади кристалла путем вжигания серебра при его восстановлении из серебряной пасты. К созданным невыпрямляющим контактам присоединяют проволочные выводы методом термокомпрессии. [6]
Кристаллическим зерном называется область кристалла, внутри которой сохраняются неизменными направления кристаллографических осей. [7]
 |
Потенциальный барьер между р - и и-областями полупроводника. [8] |
Если в одной области кристалла преобладает акцепторная примесь, а в другой - донорная, то такая структура ( называемая р-п переходом) имеет выпрямляющую вольт-амперную характеристику. Обычно используются такие р-п переходы, в которых одна область, например р, значительно сильнее легирована акцепторной примесью, чем область п - донорной, либо наоборот. Мы будем рассматривать структуры с сильно легированной р-областыо. [9]
 |
Ориентация магнитных моментов атомов различных материалов.| Обменная энергия ферромагнитных металлов. [10] |
Домен - это область кристалла размером 10 - 4 - 10 - 6 м ( рис. 16.3), где магнитные моменты атомов ориентированы параллельно определенному кристаллографическому направлению. При отсутствии внешнего магнитного поля каждый домен спонтанно ( самопроизвольно) намагничен до насыщения, но магнитные моменты отдельных доменов направлены различно и полный магнитный момент ферромагнетика равен нулю. [11]
Это означает, что область кристалла, расположенная вокруг вакантного узла, является как бы ловушкой для электронов. Сам атом в междуузлии может вести себя как донорная примесь, отдавая электрон в зону проводимости. Эти предположения заслуживают серьезного внимания, так как ход постоянной Холла и удельного сопротивления обнаруживает хорошее совпадение с предсказанным на основе таких представлений. Можно все же показать, что распределение энергетических уровней в электронном германии таково, что преобладает процесс образования акцепторов. В начале процесса облучения образуются акцепторные уровни, происходит захват электронов, причем соответственно уменьшается их число в зоне проводимости и наблюдаемое удельное сопротивление увеличивается. Дальнейшее облучение образца приводит к появлению в нем избыточного числа акцепторных центров, что, в свою очередь, обусловливает возникновение дырок и, следовательно, происходит л - / - обращение. Продолжение облучения просто увеличивает число дырок, и удельное сопротивление германия р-типа падает. Нетрудно видеть, что такое изменение величины и типа проводимости германия согласуется с экспериментом. Несколько отличное поведение кремния можно объяснить различием в положении энергетических уровней, возникающих в нем в процессе облучения. Поведение кремния с проводимостью я-типа при облучении очень напоминает поведение электронного германия. Что же касается кремния р-типа, то в нем имеется некоторое число незаполненных энергетических уровней, которые захватывают электроны, образующиеся в результате облучения. [12]
В качестве другой берется аналогичная область кристалла с периодически расположенными в соответствующих узлах ЛЦ. Подрешетка, образованная центрами, обладает элементарной ячейкой, расширенной по сравнению с элементарной ячейкой кристалла-матрицы. Таким образом, введение модели КРЭЯ, улучшая описание совершенного кристалла, связано с появлением некоторых трудностей при рассмотрении кристалла с физически выделенным центром: в модели КРЭЯ локальный центр получается не изолированным, а периодическим, такая же искусственная периодичность возникает и при рассмотрении в этой модели адсорбируемого атома над поверхностью. [13]
При движении границы вверх область ABCD верхнего кристалла превращается в структуру, соответствующую нижней части D C BA. Это макроскопическое изменение формы является деформацией с инвариантной плоскостью, получающейся в результате комбинации изменения формы элементарной ячейки с одноосным сжатием, возникающим в результате переползания дислокаций. [14]
Плоскость 111 проходит через наиболее плотные области кристалла. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5