Область - кристалл
Cтраница 4
К и Б, являющиеся выводами эмиттерной, коллекторной и базовой областей кристалла, изолированы друг от друга и от фланца стеклянным изолятором, а четвертый Кор, выполненный из проволочного никеля, соединен контактной электросваркой с фланцем ножки. Чтобы предохранить металлостеклянный спай от разрушения при холодной сварке, во фланце сделана кольцевая канавка. [46]
АО - часть площади ИМС, е занятая элементами ( площадь периферийных и изоляционных областей кристалла); UQ - средняя площадь, занимаемая одним элементом ИМС. [47]
А обозначает антрацен, а А - дырку, инжектированную в поверхностную область кристалла. [48]
При этом, по-видимому, происходит перемещение вредных примесей к тем областям кристалла, в которых имеется наибольшее количество структурных нарушений. [49]
Принцип действия таких лазеров состоит в том, что между двумя областями кристалла, обладающими р-проводимостью, создается тонкий ( порядка 1 мкм) слой с большим удельным сопротивлением. При приложении к прибору электрического напряжения ( около 10 в) этот слой пробивается, при этом вследствие ударной ионизации возникают лишние носители заряда. Через небольшой промежуток времени носители рекомбинируют и отдают свою избыточную энергию в виде электромагнитного ( видимого или инфракрасного) излучения. [50]
Диффузионный ток создается движением заряженных частиц ( электронов и дырок) из областей кристалла с повышенной концентрацией в область, обедненную носителями. Диффузия совершается за счет собственной энергии теплового движения частиц. [51]
Еще одна задача, решаемая методом порошковой рентгенографии, - определение размеров областей кристалла с ненарушенной периодичностью, т.е. областей когерентного рассеяния ( ОКР), которые иногда называются кристаллитами. Для некоторых образцов размеры ОКР совпадают с размерами частиц. Методически близки к решению этой задачи вопросы определения некоторых типов дефектов. Для решения этого комплекса проблем необходим тщательный анализ профиля дифракционных линий. [52]
Для изготовления транзисторов с заданными электрическими характеристиками необходимо очень точно выдержать размеры областей кристалла, соответствующие базе, эмиттеру и коллектору. При сплавном методе конфигурация отдельных областей транзистора сильно зависит от точности поддержания температуры, толщины пластинки, времени вплавления и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводят к большому разбросу электрических параметров транзистора. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый. Поэтому с помощью диффузии удается создать транзисторы, в которых размеры различных областей могут быть выдержаны значительно более точно. В частности, диффузионным методом можно создать транзисторы с очень тонкой базой, что существенно повышает частотный предел их работы. [53]
Микросхемы семейств АРЕХ20К / КЕ принадлежат к первым промышленным SOPC с конфигурируемостью всех областей кристалла. Микросхемы АРЕХ20К имеют напряжение питания ядра 2 5 В и уровни сигналов ввода / вывода 2 5; 3 3 и 5 0 В, а микросхемы АРЕХ20КЕ напряжение питания ядра 1 8 В, а уровни сигналов ввода / вывода 1 8; 2 5; 3 3 и 5 0 В. [54]
Взаимодействие дислокаций с примесными атомами приводит к локальным изменениям концентрации примеси: в сжатой области кристалла вблизи краевой дислокации накапливаются чужеродные атомы с малым радиусом, а в растянутой области - с большим. [55]
 |
Изменение мартенсит. [56] |
С помощью двумерного ряда параллельных краевых дислокаций можно описать поверхность раздела между двумя искаженными областями кристалла, имеющими идентичную структуру и повернутыми друг относительно друга вокруг оси параллельно линиям дислокаций. [57]
 |
Структура р - n - перехода и его вольт-амперная характеристика. [58] |
Для изготовления полупроводниковых приборов с заданными электрическими характеристиками необходимо очень точно выдержать - размеры областей кристалла с разными типами электропроводности. В сплавном переходе конфигурация отдельных областей сильно зависит от точности поддержания температуры, толщины пластинки, времени вплавл ения и количества примесей. Ничтожные отклонения любого показателя от номинального значения приводят к большому разбросу электрических параметров полупроводниковых приборов. Диффузионный процесс более медленный и лучше управляемый. Поэтому с помощью диффузии удается выдержать размеры различных областей более точно. [59]
 |
Схемы расположения атомов у дислокации ( а, в и модель сдвига ( б. т - вектор сдвига, создающего краевую дислокацию. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5