Область - кристалл
Cтраница 2
Тогда суммарный электрический момент области кристалла, содержащей достаточно большое число элементарных ячеек, но малой по сравнению с длиной световой волны, будет изменяться при колебаниях, обусловливая поглощение света. [16]
Бормана) в тех областях кристалла, где смещение атомов имеет компоненту, перпендикулярную отражающим плоскостям; уменьшение интенсивности прямого пучка можно также связать с увеличением интенсивности дифрагированных лучей для тех же областей кристалла за счет того, что в искаженных областях ослабляется эффект первичной экстинк-ции, и интенсивность дифрагированных лучей в соответствии с кинематической теорией становится пропорциональной квадрату числа ячеек ( N2), а не первой степени, как это получается в динамической теории для неискаженных областей кристалла. В зависимости от конкретных условий может действовать тот или иной механизм. [17]
 |
Распределение парциальной плотности легирующих примесей по радиусу кристалла в зависимости от координаты 2 ( Л. д50, Лд0 26, Р 1. [18] |
Если процесс диффузии рассматривается в области кристалла, где выполняется условие ( У. [19]
Тщательное исследование обнаруживает в этой области кристалла большое число ячеек, содержащих металлическое золото. [20]
Если поглощающее ядро находится в области кристалла, в которой заряды других ионов или собственных электронов атома ( когда распределение их не является сферически симметричным) создают градиент напряженности электрического поля, то линия также расщепляется. Такое расщепление называется квадрупольным. [21]
На рис. 3 - 3 области кристалла транзистора с дырочной электропроводностью и соответствующие им участки кривых выделены косой штриховкой. [22]
ЛИ ахомгвакансиотюе состояние достигается, возбужденные области кристалла становятся источниками потоков дефектов. [23]
 |
Структурные особенности сильно легированных монокристаллов кремния ( поперечное сечение. [24] |
Интересно отметить, что и в области кристалла с ячеистой структурой ( особенно на ранней стадии ее развития) сохраняется характерный для всего слитка периодический характер роста. В частности, при наличии в кристалле заметной спирально-слоистой неоднородности ячеистая структура развивается в первую очередь в слоях, обогащенных примесью. [25]
Данная методика дает удовлетворительные результаты для области кристалла со стационарным распределением температур. [26]
 |
Типы кристаллических поверхностей. [27] |
К трехмерным дефектам относятся прежде всего области кристалла, ограниченные рассмотренными выше двумерными дефектами, - двойниковые прослойки, включения других политипных или полиморфных модификаций, макроблоки. Важным типом трехмерных дефектов являются включения раствора, рассматриваемые в § 1.6. Сюда же относятся включения посторонних твердых фаз. Твердые включения, подразделяются на протогенетические - захваченные кристаллом при росте, сингенетические - возникшие и разраставшиеся одновременно с кристаллом, и эпигенетические - возникшие при преобразовании готового кристалла. [28]
Оказывается, что при Sc 0 растянутая область кристалла ( As 0) дает на темнопольном и светлопольном изображениях одинаковый контраст, тогда как для сжатой области кристалла ( As 0) контраст на светлопольном и темнопольном изображениях взаимно дополнительный. [29]
Плоскость [111] проходит через наи - ке-более плотные области кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5