Область - кристалл
Cтраница 3
Двойникование есть процесс, при котором некоторая область кристалла меняет свою ориентацию по отношению к исходной ориентации кристалла. [31]
 |
Диаграмма энергетических [ IMAGE ] Экспериментальная зависимость. [32] |
Увеличению числа носителей заряда способствует также разогрев контактирующих областей кристаллов. Эти области малы по величине, поэтому вполне возможно допустить их разогрев до высокой температуры даже при небольших токах, протекающих через контактирующие кристаллы. При таком микроразогреве приконтакт-ных областей макроразогрев всего образца может быть очень мал. [33]
Такая структура соответствует вторичной микроструктуре, а разориеитация областей кристалла, разделенных вторичными границами, достигает нескольких градусов. В этих способах, которые получили общее название механотермической обработки, используют такие сочетания пластического деформирования и нагрева, к-рые не приводят к возникновению рекристаллизации. [34]
Под дислокацией или линией дислокации понимают линию, которая отделяет область кристалла, претерпевшую сдвиг, от несдвинутой. Вектор Бюргерса b дает величину и направление сдвига атомов в кристаллической решетке. Если b не является вектором в решетке Бравэ, тогда имеют место неполные или частичные дислокации. Величина вектора b, b b, является мерой дислокации. [35]
Волновая функция электрона отлична от нуля примерно в той же области кристалла, в которой существует возмущение, другими словами, электрон локализован в области возмущения. [36]
Волновая функция электрона отлична от нуля примерно в той же области кристалла, в которой существует возмущение, другими словами, электрон локализован в области возмущения. [37]
Операция присоединения выводов служит для соединения р - и - областей кристаллов с внешними выводами кристаллодержателей. [38]
 |
Энергия ионизации акцепторов в кремнии и германии. [39] |
Основные и воабуж-ность в окружающей примесный атом денные примесные состояния области кристалла. [40]
Диэлектрическое смещение ионов в электрическом поле создает значительную поляризацию в областях кристалла, окружающих свободный заряд, и снижает его энергию. [41]
Такие стабильные конфигурации дислокаций, или малоугловые границы, обычно разделяют области кристалла, ориентация которых отличается друг от друга очень незначительно. В пределах такой области, или блока, кристаллическая структура может считаться идеальной, на границе же существует легкая разо-риентировка решетки, в результате чего образуется ряд дислокаций. В любом реальном кристалле наблюдаются обычно блоки размером 10-в - 10 - 7 м, разори-ентированные ( от нескольких угловых секунд до 3 - 5) и разделенные малоугловыми границами. [42]
Атомы в этой квазимолекуле расположены так же, как в той области кристалла, которая задана с помощью соответствующей РЭЯ. [43]
Заметим, что однородность здесь понимается только как признак конфигурируемости всех областей кристалла, поскольку эти области содержат однотипные программируемые схемные ресурсы. В однородных SOPC реализуемые блоки могут размещаться в разных областях и создаваться соответствующим программированием. [44]
 |
Корпус транзистора ГТ313. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5