Область - насыщение
Cтраница 1
Область насыщения характеризуется прямым смещением на обоих переходах. [1]
 |
Вольт-амперная характеристика ионизационной камеры ( кривая зависимости ток ионизации / - напряжение U. [2] |
Область насыщения отвечает рабочему диапазону детектора сечения ионизации. [3]
 |
Отключение индуктивности от источника синусоидального напряжения.| Примерный характер зависимости тока среза от амплитуды отключаемого тока. [4] |
Область насыщения соответствует максимальному значению / о, свойственному данному выключателю. При очень больших токах явление среза вообще отсутствует, так как дугогасящие способности выключателя недостаточны для мгновенного разрушения сильно ионизированного дугового столба. [5]
Область насыщения, являющаяся рабочей областью транзистора, на этом семействе расположена справа от штриховой линии. [6]
Область насыщения - в этой области коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении. [7]
Область насыщения соответствует открытому состоянию транзистора. Под насыщением транзистора понимается такой режим, когда увеличение тока в цепи базы не вызывает увеличения коллекторного тока, величина которого определяется напряжением источника питания и сопротивлением нагрузки. При этом в базу транзистора вносится столь большое количество неосновных носителей, что изменение тока коллектора в определенных пределах не дает существенно-то увеличения сопротивлений транзистора. [8]
Область насыщения располагается справа от линии О А. Область между линиями О А и ОБ определяет начальное ( неполное) насыщение. Здесь коэффициент усиления по току р / к / / б зависит от режима работы, характеристики транзистора нелинейны, сопротивления эквивалентной схемы зависят от тока базы. [9]
Область насыщения ( / / /) характеризуется прямым смещением на обоих переходах. Режимы отсечки и насыщения характерны для работы транзистора в импульсном режиме. [10]
 |
Семейства статических характеристик.| Семейства статических характериств. [11] |
Область насыщения широко используется при применении транзисторов в переключающих режимах для состояния включено. [12]
 |
Статические характеристики транзистора в схеме с общей базой ( а и общим эмиттером ( б. [13] |
Область насыщения - область, в которой коллекторный переход отпирается и начинается инжекция носителей из области коллектора в область базы и, наоборот, из области базы в область коллектора. [14]
Область насыщения II ( рис. 2.18, а) расположена левее неуправляемого участка статической коллекторной характеристики. Ток насыщения / к ас для сохранения нормального теплового режима не должен превышать максимально допустимого коллекторного тока / кгаах. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5