Область - насыщение
Cтраница 4
Фототок в области насыщения остается постоянным при различных толщинах мишени и определяется интенсивностью света. Она очень близка к единице при рассмотрении отражения света от поверхности стеклянной подложки и поглощения в прозрачном контакте. [47]
Переход в область насыщения обеспечивает, помимо минимальной величины падения напряжения на триоде А ( / КЭ, повышение стабильности режима, характеризуемое малой чувствительностью к колебаниям напряжения и температуры. [48]
 |
Форма входного и выходного импульсов. [49] |
Переход в область насыщения связан с появлением избыточных зарядов в базе. Для того чтобы эти заряды исчезли после прекращения входного тока, требуется некоторое время ( рис. 2.68, а), называемое временем рассасывания. На рис. 2.68, б оно обозначено через расс. В течение периода рассасывания коллекторный ток остается величиной неизменной. К концу периода рассасывания количество зарядов в базе и их нормальное распределение отвечают току / к. После этапа рассасывания коллекторный ток спадает до нуля по закону экспоненты так же, как и в линейном усилителе. [50]
Работа в области насыщения представляется весьма простой и характеризуется четкими уровнями потенциалов в схеме. В этом случае в проводящем состоянии транзистора мощность рассеяния уменьшается, так как напряжение Vcc незначительно. Так как величина ( 3 может меняться в отношении 4: 1 в зависимости от изменения температуры и в отношении 3: 1 от транзистора к транзистору, то схема должна обеспечить насыщение при наихудших условиях. [52]
 |
Зависимости коэффициента усиления от длины ( а и частоты ( б для пленок из различных материалов ( меди Си и молибдена Мо. [53] |
Хорошо видны область насыщения и дальнейшего падения коэффициента усиления вследствие влияния потерь. Поскольку здесь выбрана частотная область, далекая от предельных частот, и предполагается полный синхронизм между линиями, то единственными частотно-зависимыми величинами являются потери в линиях, и поведение частотных характеристик определяется именно этими потерями. [54]
ГЕЫХ в области насыщения определяются с помощью снятия квазистатических ( импульсных) характеристик триода для этой области. [55]
Поэтому в области насыщения канала при увеличении напряжения стока наблюдается небольшой рост тока. [57]
Работа либо в области насыщения, либо в области отсечки присуща импульсным и логическим схемам. При этом оба режима называют ключевыми. Важными параметрами ключевого режима транзистора считаются время нарастания тока коллектора, определяемое конечной скоростью накопления избыточного заряда в толще базы, и время рассасывания, определяемое инерционностью объемной и поверхностной рекомбинации носителей заряда. Для транзисторов широкого применения эти параметры не превышают 200 - 300 не, но могут быть снижены на один-два порядка специальными технологическими приемами. [58]
 |
Основные термодинамические процессы для водяного пара в /, - диаграмме. [59] |
Семейство изобар в области насыщения представляет собой пучок расходящихся прямых, начинающихся на нижней и оканчивающихся на верхней пограничной кривой. Чем больше давление, тем выше лежит соответствующая изобара. Переход изобар из области влажного насыщенного в область перегретого пара происходит без перелома на верхней пограничной кривой. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5