Область - насыщение
Cтраница 5
 |
Изохорный процесс водяного пара. [61] |
Так как в области насыщения изобара совпадает с изотермой, тангенс угла наклона постоянен и изобара является прямой. Чем выше давление насыщения, тем выше температура, тем больше тангенс угла наклона изобары, поэтому в области насыщения прямые р const расходятся. Чем больше давление, тем выше лежит изобара. Критическая точка К лежит не на вершине, как это было в р, v - и Т, s - диаграм-мах, а на левом склоне пограничной кривой. [62]
В-третьих, в области насыщения кривая намагничивания идет таким образом, что даже незначительное изменение кратности тока ( и, следовательно, индукции 5макс) приводит к резкому росту намагничивающего тока и соответственно погрешностей. [63]
При работе в области насыщения с повышением базового тока транзистора увеличивается только прямой эмиттерный ток, а коллекторный ток остается неизменным и равным / кп, в отличие от работы транзистора в активной области, когда с повышением базового тока возрастают и коллекторный и эмиттерный ток. [64]
Эти характеристики имеют область насыщения. Величина напряжения насыщения определяется интенсивностью падающего светового потока F и конструктивными особенностями фотоэлемента. Вольтамперные характеристики газонаполненного фотоэлемента ( рис. 14.6) имеют в рабочей области непрерывно нарастающую крутизну. Увеличение анодного напряжения до величины, равной напряжению зажигания, вызывает скачкообразное возрастание анодного тока и свечение газа во всем объеме фотоэлемента. В этом случае несамостоятельный газовый разряд, при котором происходит газовое усиление, переходит в самостоятельный тлеющий разряд, не управляемый световым потоком. [65]
Семейство изобар в области насыщения представляет собой пучок расходящихся прямых линий, начинающихся в нулевой точке и оканчивающихся на верхней пограничной кривой. [66]
Страницы: 1 2 3 4 5