Область - насыщение
Cтраница 3
 |
Схема включения. [31] |
В области насыщения эмит-терный и коллекторный переходы триода открыты. Работа триода в режиме насыщения наступает при избыточном отпирающем сигнале на его входе. [32]
В области насыщения влияние изменения тока на магнитный поток незначительно. Поэтому магнитную систему пусковых и предохранительных муфт следует делать таких размеров, чтобы при номинальном моменте можно было работать с индукциями, несколько превышающими индукции, соответствующие колену кривой намагничивания. В регулируемых муфтах следует путем необходимых конструктивных решений места интенсивного выделения тепла ( от скольжения) удалять от катушки - размещать их на отдаленных от вращающихся деталей муфты элементах или компенсировать изменение сопротивления намагничивающей катушки. [33]
В области насыщения транзистор характеризуется выходной характеристикой, представляющей собой зависимость выходного тока от выходного напряжения при заданном входном токе. [35]
В области насыщения, когда оба перехода смещены в прямом направлении, транзистор характеризуется остаточными напряжениями на переходах коллектор-эмиттер t / к. [36]
В области насыщения зависимость / н / ( СЛ) имеет квадратичный характер. [37]
В области насыщения внутреннее дифференциальное сопротивление стока полевого транзистора R имеет значения в пределах 10 ком - 1 Мом. [38]
В области насыщения оба перехода транзистора смещены в прямом направлении и инжектируют неосновные носители в базу. [39]
 |
Схема ферро-резонансного контура.| Зависимость между.| Зависимость абсолютной величины тока в фер-рорезонансном контуре от напряжения. [40] |
В области насыщения индуктивность катушки резко падает и ток /, в ней растет быстрее. [41]
В области насыщения магнитная проницаемость равна нулю. [42]
Поэтому область насыщения на кривой скорости выделения энергии в углеродном цикле расположена при намного более высоких температурах. Как видно из рис. 12.2, скорости выделения энергии в водородном и углеродном циклах на Солнце сравниваются при температуре 13 - Ю6 К. [43]
 |
Ключ с общей базой ( а и графики, поясняющие условия насыщения транзистора с общим эмиттером ( б. [44] |
В области насыщения выходного напряжения на участке коллектор - эмиттер остается малое напряжение. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5