Область - отсечка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Настоящая женщина должна спилить дерево, разрушить дом и вырастить дочь. Законы Мерфи (еще...)

Область - отсечка

Cтраница 2


В области отсечки выходной ток полупроводникового триода определяется лишь тепловым током через его коллекторный переход.  [16]

В области отсечки внешние напряжения, приложенные к переходам триода ( эмиттерному и коллекторному), отрицательны относительно потенциала базы.  [17]

В области отсечки выходной ток ППТ очень мал ( 5 - 15 мка для маломощных ППТ), поэтому рассеиваемая на коллекторе мощность также мала.  [18]

19 Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а - входные. б - выходные ( U и t / g - напряжение. [19]

В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до-единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмнт-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит.  [20]

Для области отсечки это напряжение практически равно / пр. Пробивные напряжения могут быть определены по выходным вольтам-перным характеристикам.  [21]

22 Транзистор в активной области при включении сопротивления между базой и коллектором. [22]

В области отсечки коллекторный ток минимален. Для этого эмиттерный переход должен быть заперт напряжением не менее U0, при котором ток эмиттера равен нулю / - фт. Величина U0 при р400 не превышает 0 12 в. Практически запирающее напряжение U3 выбирают больше Uu в пределах от 0 3 - 0 5 в до нескольких вольт.  [23]

24 Зарядоуправляемая модель транзистора для активной нормальной области. [24]

В области отсечки предполагаем, что инерционность транзистора определяется перезарядом барьерных емкостей. Тогда схема замещения транзистора для области отсечки легко получается из схем на рис. 6.13 путем добавления этих емкостей.  [25]

26 Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а-входные. 6-выходные ( U и С / g - напряжение на коллекторе и базе. / и / - - ток коллектора и базы. [26]

В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмит-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит, величины.  [27]

В области отсечки эмиттерный и коллекторный переходы закрыты. Ключи в эквивалентных схемах на рис. 1.3 разомкнуты.  [28]

Между областями отсечки и насыщения расположена активная область, где эмиттер ный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном.  [29]

30 Статические характеристики точечноконтактного триода. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5