Область - отсечка
Cтраница 2
В области отсечки выходной ток полупроводникового триода определяется лишь тепловым током через его коллекторный переход. [16]
В области отсечки внешние напряжения, приложенные к переходам триода ( эмиттерному и коллекторному), отрицательны относительно потенциала базы. [17]
В области отсечки выходной ток ППТ очень мал ( 5 - 15 мка для маломощных ППТ), поэтому рассеиваемая на коллекторе мощность также мала. [18]
 |
Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а - входные. б - выходные ( U и t / g - напряжение. [19] |
В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до-единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмнт-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит. [20]
Для области отсечки это напряжение практически равно / пр. Пробивные напряжения могут быть определены по выходным вольтам-перным характеристикам. [21]
 |
Транзистор в активной области при включении сопротивления между базой и коллектором. [22] |
В области отсечки коллекторный ток минимален. Для этого эмиттерный переход должен быть заперт напряжением не менее U0, при котором ток эмиттера равен нулю / - фт. Величина U0 при р400 не превышает 0 12 в. Практически запирающее напряжение U3 выбирают больше Uu в пределах от 0 3 - 0 5 в до нескольких вольт. [23]
 |
Зарядоуправляемая модель транзистора для активной нормальной области. [24] |
В области отсечки предполагаем, что инерционность транзистора определяется перезарядом барьерных емкостей. Тогда схема замещения транзистора для области отсечки легко получается из схем на рис. 6.13 путем добавления этих емкостей. [25]
 |
Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а-входные. 6-выходные ( U и С / g - напряжение на коллекторе и базе. / и / - - ток коллектора и базы. [26] |
В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмит-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит, величины. [27]
В области отсечки эмиттерный и коллекторный переходы закрыты. Ключи в эквивалентных схемах на рис. 1.3 разомкнуты. [28]
Между областями отсечки и насыщения расположена активная область, где эмиттер ный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. [29]
 |
Статические характеристики точечноконтактного триода. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5