Область - отсечка
Cтраница 4
 |
Триоды типа П16. [46] |
Для анализа переходного процесса в области отсечки [1] необходимо знать отношение BilBB. [47]
 |
Схемы полупроводниковых ключей. а - с общим эмиттером. б - с общей базой. в - с общим коллектором. [48] |
Но когда триод переходит в область отсечки ( а в схеме с общей базой и в инверсную область), то входное сопротивление триода оказывается значительно больше RT, и поэтому величина входного тока определяется параметрами триода. [49]
Пренебрегая временем перемещения рабочей точки в области отсечки, можно считать, что при коротком замыкании в нагрузке ( рис. 2 - 8, б) траектория рабочей точки будет расположена в активной области. [50]
Здесь следует рассмотреть явления отдельно в области отсечки и в активной области. [51]
В-момент / 6 транзистор переходит в область отсечки, а ток диода Дз достигает своего максимального значения / пр. [52]
 |
Схема триодного последовательного ключа. [53] |
Эти триоды переводятся одновременно или в область отсечки, или в область насыщения. [54]
Транзистор работает в активной области и области отсечки характеристики. [55]
Остальные формулы для вычисления пробивных напряжений области отсечки выводятся также из условий: / к MlКбо при М 1 с использванием известных [6.4] выражений для соответствующих начальных токов. [56]
 |
Схема ключа на транзисторе с ОБ.| Нагрузочная коллекторная характеристика транзисторного ключа ( положение рабочей точки при переключении транзистора. [57] |
В ключевом режиме всегда имеется переход из области отсечки в область насыщения. [58]
В переключающих схемах транзисторы работают также в области отсечки, которая характеризуется обратным смещением как коллекторного, так и эмиттерного переходов. Для изменения полярности напряжения на эмиттерном переходе необходимо не только изменить направление тока / э или / а, но и довести этот ток в обратном направлении до определенного уровня, при котором произойдет компенсация прямого смещения, создаваемого на эмиттерном переходе обратным током коллекторного перехода. Поэтому область отсечки в строгом смысле располагается не только ниже характеристик / э0, / в0 на рис. 2 - 41, но и не доходит до них. [59]
Диапазон волн ККкр и частот vvKp называется областью отсечки. В этом режиме линия с волной рассматриваемого типа не может быть использована для передачи энергии. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5