Область - отсечка
Cтраница 3
Переход характеристики из области отсечки в активную область происходит резко, и этот переход определяется исключительно эмиттерным током. Переход из активной области в область насыщения менее резок ( а в некоторых экземплярах кристаллических триодов даже плавен), и изменение состояния определяется нагрузочной характеристикой, а также эмиттерным током. [31]
 |
Транзи - [ IMAGE ] Статические харак-стор в режиме клю - теристики и области работы ча по схеме ОЭ транзистора по схеме ОЭ. [32] |
Область / - область отсечки ( заштрихована), в которой транзистор заперт. В этой области на базу подано напряжение бэ. Ток эмиттера равен кулю. [33]
Работа транзисторов в области отсечки характеризуется величинами обратных токов. [34]
 |
Модель биполярного транзистора для области от-сечки.| Модель биполярного транзистора для области насыщения. [35] |
Модель транзистора в области отсечки представляется схемой замещения на рис. 6.13. Если сопротивления внешних цепей много меньше сопротивлений утечки гэут и гКут, то транзистор в схеме замещается разрывом в цепи. [36]
 |
Выходные вольт-амперные характеристики транзистора. [37] |
Область II является областью глубокой отсечки. [38]
При расчете ключа в области отсечки следует учесть, что обратный ток насыщения коллекторного перехода / коб почти не зависит от приложенного напряжения и возрастает при увеличении 9 15 Схема замещения полу. [39]
После перехода триода в область отсечки ток эмиттера, сравнительно быстро возрастая, стремится к своему установившемуся значению - / 0 B / BN. [40]
Таким образом за границу области отсечки условно принимают характеристику / к f ( UK) при / б / кбо. Для схемы с ОЭ между областью отсечки и активной областью имеется промежуточная область, в которой транзистор управляется положительными ( для р-п - р транзистора) токами базы. Значение тока коллектора в этой области может меняться от наибольшего значения при / б 0, равного / Кэо, ДО / кбо при / э 0, а / б / кбо. [41]
Направление тока базы транзистора в области отсечки показано на рис. 7.22 пунктирной стрелкой. [42]
Пробой может наблюдаться и в области отсечки, если напряжение между коллектором и эмиттером повысить до напряжения смыкания. [43]
Влияние температуры на ВАХ в области отсечки определяется прежде всего температурными зависимостями коэффициентов передачи а и тока / ко - С ростом температуры коэффициент передачи возрастает, что связано в основном сростом времени жизни носителей ( см. § 2.2.8); ток / ко с ростом температуры также возрастает. [44]
Рабочая точка транзистора перемещается из области отсечки в область насыщения через активную область. В интервале t - 12 за время включения вкл ток коллектора достигает значения / кцмин. Вкл зависит от частотных свойств транзистора и от величины тока базы. Ток диода в этом интервале времени уменьшается. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5