Область - отсечка
Cтраница 5
Во-первых, это область /, называемая областью отсечки, которая соответствует малому коллекторному току и большим значениям напряжения; во-вторых, область / / - область линейного режима усиления и, ц и-третьих, область III - область насыщения, соответствующая большим значениям коллекторного тока при малых значениях напряжения. При использовании триода в качестве логического элемента рабочими областями являются / л [ II. Величина управляющего сигнала должна обеспечить перевод триода из режима отсечки в режим насыщения и наоборот. [61]
Работа либо в области насыщения, либо в области отсечки присуща импульсным и логическим схемам. При этом оба режима называют ключевыми. Важными параметрами ключевого режима транзистора считаются время нарастания тока коллектора, определяемое конечной скоростью накопления избыточного заряда в толще базы, и время рассасывания, определяемое инерционностью объемной и поверхностной рекомбинации носителей заряда. Для транзисторов широкого применения эти параметры не превышают 200 - 300 не, но могут быть снижены на один-два порядка специальными технологическими приемами. [62]
Формирование среза импульса завершается при работе триода в области отсечки. В этом случае, как и в предыдущем, после рассасывания избыточных - носителей, накопленных у коллекторного перехода, триод inepe - ходит В активную область, где и начинается формирование среза импульса. Но спустя некоторое время рассасываются избыточные носителя, накопленные в базе непосредственно у эмиттерного перехода. Тогда эмиттерный переход смещается в обратном направлении, и триод переходит в область отсечки, где и завершается формирование среза импульса. [63]
Необходимо отметить, что когда триод работает в области отсечки ( независимо от его схемы включения), изменения токов происходят с большей скоростью, чем в случае его работы в любой другой области. Более подробно особенности работы триода в области отсечки рассмотрены три непосредственном запирании, когда формирование среза импульса начинается и кончается именно в этой области. [64]
 |
Иллюстрация работы усилителя на транзисторе С O3s о - нагрузочная коллекторная характеристика. б входная характеристика. [65] |
Мелкий масштаб характеристик не позволяет выделить на данном рисунке область отсечки, которая, как и в схеме включения транзистора с ОБ, определяется неуправляемым током коллектора. Область / / / насыщения транзистора, в которой увеличение тока базы не вызывает заметных изменений тока коллектора, заштрихована. [66]
В схеме с общим эмиттером внешние дестабилизирующие факторы в области отсечки и на ее границе оказывают наибольшее влияние на токи, напряжения на р - - лереходах и коэффициент усиления транзистора, вызывая изменения его порога отпирания, предельного уровня экспоненты и, следовательно, нестабильность паузы. На нестабильность длительности импульса влияют параметры транзистора в области насыщения: остаточное напряжение, сопротивление промежутка коллектор-эмиттер и коэффициент усиления. [67]
 |
Схема с диодными связями без смещения. [68] |
Необходимо отметить, что закрытые транзисторы не работают в области отсечки, поэтому считать их закрытыми можно только условно. [69]
Смещение выбирается так, чтобы закрытый транзистор работал в области отсечки. [70]
Страницы: 1 2 3 4 5