Cтраница 1
Область пробоя, вследствие своей неустойчивости, с трудом поддается исследованию, и, как это будет показано дальше, представляет собой сложный физико-химический процесс. [1]
Область пробоя ( III на рис. 10 - 7) соответствует резкому увеличению тока стока. [2]
Область пробоя, где ток стока быстро нарастает при незначительном увеличении Уси. [3]
Выходные характеристики транзистора при включении efo по схеме ОЭ. [4] |
Область пробоя не является нормальной рабочей областью транзистора. [5]
Идеализированная вольт-амперная характеристика стабилитрона. [6] |
В области пробоя ток может меняться на несколько порядков при одном и том же напряжении на диоде. [7]
В области пробоя сопротивление диода вновь резко уменьшается и необходимо регулировать ток. Эту область характеристики надо исследовать осторожно во избежание повреждения диода. [8]
Источник образцового напряжения на кремниевых стабилитронах. [9] |
В области пробоя динамическое внутреннее сопротивление кремниевых стабилитронов лежит в пределах от 1 до 100 ом. [10]
Схемы стабилизаторов с дросселем переменной индуктивности ( а и со стабилитронами ( б и г, а также характеристика зенеровского диода ( в. [11] |
В области пробоя протекание большого тока не сопровождается изменением падения напряжения на диоде. [12]
Это - область пробоя, в которой обычно и работает прибор в качестве опорного диода. [13]
Вольтамперные характеристики кремниевых переходов с различными механизмами пробоя, снятые при температуре 25 С ( кривые 1. 100 С ( кривые 2. - 55 С ( кривые 3. [14] |
При работе в области пробоя на переходе рассеивается значительная мощность и переход разогревается. При этом увеличивается обратный ток перехода, что, в свою очередь, приводит к повышению разогревающей мощности и температуры перехода. [15]