Область - пробой
Cтраница 5
 |
Пример схемы измерения входных и выходных вольтамперных характеристик на постоянном токе. [61] |
К этим недостаткам, в первую очередь, следует отнести длительный процесс измерений и последующую кропотливую обработку результатов, ограниченную возможность исследования области пробоя из-за высокой мощности рассеяния, непостоянство температуры перехода вдоль кривой, так как каждой точке на характеристике соответствует определенная мощность рассеяния. Это определяет вид вольтамперных характеристик. [62]
Рассмотрим основные факторы от которых зависит величина каждой из трех составляющих обратного тока диода ( § 1.2) при напряжениях, далеких от области пробоя. [63]
В общем случае необходим учет экранирующего действия менее разогретыми областями плазмы, а также введение профилирующего множителя, ответственного за спектральную прозрачность атмосферы между областью лазерного пробоя и приеморе-гистрирующей аппаратурой лидара. [64]
Это обусловлено, во-первых, тем, что обратный ток кремниевого диода мал, вследствие чего саморазогрев диода в предпро-бойной области отсутствует и переход в область пробоя весьма резок. Во-вторых, в широком диапазоне рабочих токов в кремниевом р - п-переходе не возникает теплового пробоя. [65]
 |
Статическая характеристика туннельного диода. [66] |
Поскольку пробойный режим не связан с инжекцией неосновных носителей, в полупроводниковом стабилитроне отсутствуют инерционные явления ( накопление и рассасывание носителей) при переходе из области пробоя в область запирания и обратно. Эта особенность делает возможным применение полупроводниковых стабилитронов не только в стабилизаторах напряжения, но и в импульсных схемах. К числу таких схем относятся ограничители и фиксаторы уровня. [67]
Страницы: 1 2 3 4 5